半导体产业纵横
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赋能中国半导体产业,我们一直在路上。
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业绩飙升14倍,这家巨头却内忧外患?

​近日,全球最大存储芯片厂商三星电子披露了第二季度的业绩报告。 三星电子在2024年第二季度的业绩报告中展现了惊人的财务表现,其营业利润同比飙升了1452%,达到10.4万亿韩元(约合人民币551亿元)。这一数据不仅显著超过了市场分析师的普遍预期,也标志着三星电子自2022年下半年以来利润状况的显著好转。 01 AI需求引爆,三星、SK海力士扭亏为盈,业绩飙升 三星第二季度的业绩表现大幅超出市场预期,利润飙升14倍。 而就在2022年下半年,三星电子曾面临设备解决方案部门及其整体利润的明显下滑,营业利润一度跌至1万亿韩元以下。然而,从2023年下半年开始,随着市场环境的改善,三星电子的利润开始回升,三季度和四季度的营业利润均回到了2万亿韩元以上。进入2024年,第一季度的营业利润达到了6.61万亿韩元,相比去年同期的0.64万亿韩元,增长了十倍之多。 随着AI需求激增导致内存竞争加剧,三星三季度将把DRAM和NAND的价格上调15%—20%,预计三星电子下半年的业绩也将有所改善。 与此同时,另一家韩国存储芯片巨头SK海力士也在第二季度实现了业绩的显著提升。SK 海力士将在 7 月 26 日公布第二季度财报。市场预计,其营业利润将达到5万亿韩元(约合人民币263.5亿元),创下 6 年来的最高纪录。这表明整个存储芯片行业正受益于AI相关需求的增长,尤其是在高带宽存储器(HBM)领域,预计未来几年的复合年增长率(CAGR)将达到70%。 据统计,过去一个月内,至少 19 位分析师上调了对该公司的预测,理由包括 AI 需求的巨大潜力,以及本月公布的财报可能带来正面惊喜。 高盛(Goldman Sachs Group)将SK海力士目标价调高至290,000韩元。花旗集团(Citigroup)也将SK海力士目标价升至350,000韩元。 Infinity全球资产管理公司投资长Roh
业绩飙升14倍,这家巨头却内忧外患?

余承东上“与辉同行”:谈问界、谈手机、谈自己

​一场互联网顶流与顶流的对话,敢说敢做的碰撞。 华为常务董事、终端BG董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东与东方甄选高级合伙人、与辉同行负责人董宇辉对谈。 关于“转让问界”、“芯片困境”、“被任正非批评”等,余承东在这场直播中回应了近期外界关注的华为热点,还少见地谈到了个人性格和成长经历。 01 车:25亿转让问界,心痛也要行动 余承东在直播中谈到“问界”等商标转让的原因。本月初,赛力斯宣布将收购华为持有的“问界”等系列商标及专利,收购价款合计25亿元。余承东表示,此次转让是受国家法规要求,品牌商和生产商必须合一,因此华为把“问界”、“智界”、“享界”、“尊界,四个“界”都转给了车厂。 品牌价值至少值上百亿元。尽管转让价格仅为25亿元,但余承东强调,华为对“问界”品牌的投入非常大,品牌价值至少在百亿元以上。他提到:“问界我们过去投入很大,这个品牌至少是百亿元以上。“而且连AITO这个名字已经都转过去了,以AI开头的4个字母品牌在全球注册很难的,是个非常好的名字。”余承东还透露,华为与江淮汽车合作的第四个“界”品牌是“尊界”,而非此前相传的“傲界”。 智界S7卖的不好背后。余承东还提及了与奇瑞合作的智界S7。他承认,尽管智界S7是一款好车,但是目前卖得并不好。原因在于,华为的营销能力有比较大的空缺,智界这个品牌还没有建立起来。 回应外界对华为智能驾驶技术的质疑。余承东表示,尽管有批评声,特斯拉同样也很优秀,但从综合能力来看,华为在智能驾驶领域仍然对得起“遥遥领先”四个字,这一自信来源于华为在技术研发上的投入和对正确方向的把握。 02 手机:国产芯片强加持,新屏新机大突破 余承东回忆,华为曾是智能手机全球市场第一,最差的月份出货量都高达两千多万台,但由于制裁,两个季度就跌至谷底,一年的发货量只有两千多万台,不到过去一个月的量。“作为全球5G的领导者,连5G都没有,我们的日子
余承东上“与辉同行”:谈问界、谈手机、谈自己

国产智能家居芯片,谁是最佳选手?

随着科技的进步,智能家居已经成为现代生活的重要组成部分。智能家居系统能够通过物联网等技术,实现家庭设备的智能化控制和管理,提高生活便利性和舒适度。 芯片对于智能家居企业而言其重要性不言而喻,智能家居核心芯片主要包括主控芯片、通信芯片、传感器芯片等。其中,主控芯片是智能家居的核心部分,它可以实现设备的控制和管理。通常而言,主控芯片也被称为控制设备运行的“大脑”,而智能家居设备的主控芯片通常会搭配使用SoC或MCU。 01 SoC和MCU有何不同? SoC芯片(SystemonChip)又称系统级芯片,片上系统,是将CPU、GPU、NPU、存储器、基带、ISP、DSP等系统关键部件集成在一块芯片上,能够实现完整系统功能的芯片电路。 这一赛道的国产半导体企业包括:晶晨股份、瑞芯微、全志科技、富瀚微、恒玄科技、北京君正等。 MCU(MicroControllerUnit)芯片,又称微控制器或单片机,是把CPU的频率与规格做适当缩减,并将内存(Memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口,甚至液晶(LCD)驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级计算机,从而实现终端控制的功能。 MCU是智能控制器的主要芯片之一,国产的代表企业包括兆易创新、中颖电子、国民技术、芯海科技、博通集成、乐鑫科技、聚辰股份、上海复旦微等。 MCU和SoC的区别在于,MCU是微控制器单元,是单个集成电路上的小型计算机,包含一个处理器核心、存储器、可编程输入/输出(I/O)外设、定时器、计数器等。它只提供最小的内存、接口和处理能力。而SoC是系统芯片,是将多个电子元件集成到一个芯片上,以实现特定的功能。SoC不仅仅局限于MCU,还可以是更高端的CPU、MPU的功能定制版 。 简而言之,SoC通常运算能力更强,集成的功能更为丰富,能支持运行多任务的复杂系统,当然价格也
国产智能家居芯片,谁是最佳选手?

台积电要抄三星的后路

​在芯片制造领域,先进制程的影响力和统治力越来越大,已经从之前的逻辑芯片晶圆代工领域,拓展到最先进的存储芯片制造,这在台积电和三星身上有凸出的体现。 当下的3nm制程晶圆代工,台积电的市场统治力很明显,三星处于弱势地位。未来的2nm制程,三星必须加紧赶上,否则会越来越困难。 在高带宽内存(HBM)芯片制造方面,原本都由存储芯片IDM大厂自家完成,但是,到了下一代的HBM4,技术难度和制造难度提高了不少,需要更先进的制程工艺参与进来。 01 2nm制程针锋相对 据报道,台积电将于7月中旬开始试生产2nm制程工艺芯片,早于市场预估的第四季度。 台积电2nm工艺首次应用GAA(全环绕栅极晶体管)技术,可以在更小的制程节点上提供更好的性能。 据台积电介绍,与3nm制程相比,2nm的能效提升10%~15%,功耗降低30%。当试产良率达到一定标准时,便可以推进到量产阶段。 台积电的2nm制程将包括N2、N2P和N2X三个版本,预计2025下半年开始量产其第一代GAAFET N2节点芯片,下一个版本N2P将在 2026年底量产。台积电这两个版本2nm工艺没有使用背面供电技术,不过,整个N2系列将增加台积电新的NanoFlex功能,该功能允许芯片设计人员在同一模块中匹配来自不同库(高性能、低功耗、不同面积)的单元,以提高性能或降低功耗。 N2P之后将是电压增强型的N2X。尽管台积电曾表示N2P将在2026年增加背面供电技术,但看起来情况并非如此,N2P将使用常规供电电路,具体原因尚不清楚。 有消息称苹果已经与台积电达成独家协议,包下台积电2nm制程首批全部产能。 据外媒报告,台积电2024年资本支出可能达到上限值320亿美元,2025年有望进一步升至370亿美元,主要用于提前部署2nm工艺量产,采购先进设备。目前,三星也在发力2nm工艺,台积电提前部署产能的目的是为保持在晶圆代工领域的领导
台积电要抄三星的后路

年中已过,存储芯片Q3涨势如何?

​在这半年的时间里,存储芯片市场经历了多次价格波动。从年初的平稳开局,到随后的快速上涨,再到近期的波动调整,每一次价格变动都牵动着业界的神经。那么,这半年来存储芯片究竟涨价几何呢? 01 机构预测和各原厂的涨价计划 根据集邦咨询数据显示,2024年第一季度,DRAM芯片合约价格上涨多达20%,NAND闪存则是上涨多达23%—28%。 近日,TrendForce还对第二季度存储产品价格作了最新预测,TrendForce表示存储芯片价格或将持续上涨,第二季度 DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,延续了第一季度的强劲势头。 与此同时,各大原厂也在今年不断调整其价格策略。 今年年初,《中国台湾电子时报》报道,三星、美光两家存储芯片大厂计划将2024年一季度的DRAM芯片价格调涨15%-20%。NAND产品的价格在一季度也几番动荡,据悉,三星为恢复其存储芯片业务的盈利能力,计划将NAND闪存芯片价格提高至多20%。根据美光此前公布的截至2024年2月29日的2024财年第二财季报告显示,该季度其NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%。 近日,供应链消息称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。据悉,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。 今年4月,西部数据也向供应商发布了涨价通知函,宣布将在本季度继续对NAND Flash和HDD产品进行涨价。值得注意的是,去年12月,西部数据就曾对客户发出了涨价通知函,强调未来几个季度NAND Flash产品的价格将采取周期性调涨方式,预期累计将上涨55%。西部数据还指出,公司HDD产品会也每周审查定价,预计2024年上半年价格会上涨。 铠侠近日
年中已过,存储芯片Q3涨势如何?

碳化硅竞争升级,中国企业施压国际大厂

​作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,拥有更加优异的物理和化学特性,使得SiC器件能降低能耗20%以上,减少体积和重量30%~50%,可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。 SiC主要用于功率器件制造,与传统硅功率器件制造工艺不同,SiC器件不能直接在SiC单晶材料上制造,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,在外延层上制造器件。 在SiC产业链上,关键部分主要集中在上游,其中,衬底生产成本占总成本的47%,外延片成本占23%,合计占SiC产业链总成本的70%左右。衬底制造技术壁垒很高,价值量最大,既决定了上游原材料制备的方式及相关参数,也决定着下游器件的性能,是SiC大规模产业化推进的关键。 SiC衬底方面,6英寸产品已实现商用化,在此基础上,国际大厂都在推8英寸产品,但距离全面商业化还有一段距离。SiC外延片方面,情况类似,6英寸产品实现商用化,也处在8英寸产品商用推广阶段。 SiC功率器件主要应用于新能源汽车、充电桩、工业场景、交通领域等,其中,新能源汽车应用占比最高,市场份额达41.5%,由于SiC是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料,技术也已经趋于成熟,使其成为实现新能源汽车最佳性能的理想选择。目前,SiC器件在EV/HEV上主要用于功率控制单元、逆变器、DC/DC转换器、车载充电器等。此外,光伏+储能也是SiC功率器件的主要应用领域,占比达23.1%。 受汽车应用推动,尤其是EV主逆变器的需求,SiC市场在高速增长,据TrendForce统计,2023年,全球SiC功率器件市场规模约为30.4亿美元。 01 SiC产业格局 按地区划分,亚太是全球最大的SiC消费市场,从企业端来看,美国、欧洲和日本相关企业在SiC行业处于领先位置。
碳化硅竞争升级,中国企业施压国际大厂

巨头抢夺战,HBM被彻底引爆

​在英伟达一步步站稳万亿市值脚根的道路上,少不了两项关键技术支持,其中之一是由台积电主导的CoWoS先进封装,另一个便是席卷当下的HBM(高带宽存储)。 英伟达H200是首次采用HBM3E存储器规格的AI加速卡。借助内存速度更快、容量更大的HBM3e,英伟达H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存,与A100相比,容量几乎是其两倍,带宽也提升了43%,从而加速生成式AI和大语言模型,提高高性能计算(HPC)的工作负载。 随着人工智能的兴起,HBM成为巨头们抢占的高地。三星、SK海力士、美光等存储巨头纷纷将HBM视为重点生产产品之一。 HBM的火热,给市场掀起巨大波澜。一起看看HBM这股热潮给市场带来了哪些转折? 01 HBM走红,带来三大影响 HBM成为力挽行业下行的关键词之一 数个季度的持续低迷下,头部存储厂商相继展现出季度收入环比增长趋势,其中以SK海力士的表现最为亮眼,背后就离不开由HBM拉动对DRAM的需求提升。 今年Q1,SK海力士收入创历史同期新高,营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高,公司将其视为摆脱了长时间的低迷期,开始转向了全面复苏期。SK海力士表示:“凭借HBM等面向AI的存储器技术领导力,公司提升了面向AI服务器的产品销量,同时持续实施以盈利为主的经营活动,从而实现了营业利润环比增长734%的业绩。” 三星电子曾表示生成式AI市场应用将带来HBM等支持大规模数据处理的内存产品需求快速增长,公司接到了大量客户需求。预计2024年HBM的需求可能出现陡峭增长。 美光表示,AI服务器的DRAM容量是普通服务器的6倍到8倍,NAND容量是普通服务器的3倍。英伟达DGX GH200所需的DRAM容量是普通服务器的数百倍。 通用DRAM恐缺货涨价 通用型DRAM内存芯片面临的供应短缺,主要源于业界对HBM等类型的DRAM进行了大量的投资,
巨头抢夺战,HBM被彻底引爆

新加坡新添12英寸厂,会成为下一个半导体制造中心吗?

​就在六月份,新加坡又添一个新的12寸晶圆厂。 德国晶圆制造商世创电子(Siltronic)耗资20亿欧元(约30亿新币、155亿人民币)在新加坡建造的半导体晶圆工厂正式开幕。而这座占地15万平方米的工厂是世创电子在新加坡的第三座晶圆制造厂,毗邻淡滨尼晶圆制造园内的其他两个工厂,通过天桥相连。新工厂的占地面积达到30万平方米。 该工厂主要生产12寸(300mm)半导体晶圆,预计从投产到年底每月可生产约10万片晶圆。这将是世创电子在新加坡的第二个12寸半导体晶圆厂。 如今半导体产业已经是新加坡电子工业两大支柱产业之一,整个电子业产值占制造业产值高达26%。新加坡已经吸引了来自全球各地的芯片龙头企业入驻建厂,甚至将研发中心落地新加坡。 而根据Statista的数据预测,新加坡半导体市场预计将增长7.85%(2024-2027年),到2027年市场规模将达到569.1亿美元(约77亿新币,4120亿人民币)。 01 新加坡半导体产业发展史 实际上,新加坡的半导体产业起步颇早,布局已久。 早在1968年,新加坡国家半导体就成立了组装和测试工厂,并于1986年成为全球第二个进入半导体代工行业的国家。1969年,德州仪器在新加坡建厂;1987年,新加坡特许半导体正式成立;此后英飞凌、美光、HP、ST等大厂也纷纷前往新加坡建厂。 自此,新加坡半导体产业迅速成长。 上世纪90年代,新加坡的半导体企业绝大多数是外资公司,这些企业将芯片设计、制造、封测等相关技术引入新加坡。而后推动半导体产业的国产化,提升自身的半导体设计生产能力,由此让新加坡成为了全球半导体行业的产业重要一环。 到2010年,新加坡半导体的产能在全球的比重达到11.2%,俨然已经形成了一个成熟的产业生态环境。 2010年之后,随着互联网经济的兴起,受两轮金融危机影响,以及手机为代表的全球分工模式进入中国时代,新加坡转入投资IT
新加坡新添12英寸厂,会成为下一个半导体制造中心吗?

赚钱窗口期出现,芯片厂要下重注了

​2023年,全球芯片市场低迷,需求不振,使得各大晶圆厂(包括晶圆代工和IDM)产能利用率都不高,抑制了晶圆厂投资。据SEMI统计,2023年,全球晶圆厂设备支出同比下降了22%。 近两年,先进制程工艺(5nm及以下)还处在投入期,整体发展情况还不错,但仅限于那两三家头部企业。而涉及晶圆厂数量和产业链更多、更广的成熟制程市场则很惨淡,整体产能利用率不高,这对于整个半导体产业,不管是设备还是材料来说,都很不利,全面影响着产业投入和资本支出。 01 2023年的低预算 据TrendForce统计,2023年前三个季度,各晶圆代工厂的产能利用率表现都不理想,全年产值同比减少约4%。因此,各晶圆代工厂纷纷缩减了2023年用于设备采购等的资本支出,产能扩张速度减缓。 以台积电为例,该晶圆代工龙头在2023年第二季度就降低了全年的资本支出预期,下半年再次下调,使其全年支出在300亿美元左右,低于2022年的363亿美元,这是该公司近8年来首次出现年度资本支出下滑的情况。 建厂扩产方面,台积电在高雄、南科、中科与竹科的多个扩产项目全面放缓,产能重新调配。原计划在高雄建两座新厂,包括7nm和28nm制程产线,但高雄厂7nm厂房因智能手机和PC市场需求疲软而宣布暂缓,相关机电工程标案延后1年,无尘室及装机作业随之延后。此外,3nm也由快进模式转为缓慢扩张模式。原计划2023年量产的Fab 18厂P7延至2024年。 三星7nm以下先进制程客户高通、英伟达等旗舰新品转单出走,没有体量相当的新客户填补产能,导致三星2023全年先进制程产能利用率处在约60%的低位。 联电总经理王石表示,2023年,随着客户持续消化库存,联电的业务受到晶圆需求疲软的影响,第一季度晶圆出货量环比下降17.5%,产能利用率降至70%。第二季度,由于整体需求依然低迷,客户继续调整库存,晶圆出货量持平。全年来看,联电采取
赚钱窗口期出现,芯片厂要下重注了

人形机器人,在上海爆发

​人类对于人造机械的想象和思考是源远流长的。 希腊神话中出现了赫淮斯托斯的黄金机器人和皮格马利翁的伽拉忒亚这样的机械人和人造人。根据列子辑注的《列子·汤问》记载,中国西周时期也已经出现了偃师造人的故事。 7月4 日,当2024世界人工智能大会在上海拉开帷幕,展前阵列出18款人形机器人时,带来的震撼是难以言喻的。本次现场展出了45款智能机器人,其中人形机器人有25款。 01 人形生物诞生 特斯拉二代人形机器人Optimus 现场,人影攒动。二代Optimus搭载的是与特斯拉车辆同源的AI 技术。二代Optimus在直立行走的基础上,行走速度提升了30%;其手指还“进化”到除了感知和触觉,可以在轻握鸡蛋和搬运重物时做到“游刃有余”。 特斯拉预计明年开始限量生产人形机器人,将有超过1000个Optimus在特斯拉工厂帮助人类完成生产任务。 开源通用人形机器人“青龙” 人形机器人(上海)有限公司当日发布了中国首个全尺寸开源通用人形机器人,该款机器人身高185cm,体重80kg,拥有高度仿生的躯干构型和拟人化的运动控制,支持多模态机动、多模态感知、多模态交互和多模态操控,全身多达43个主动自由度,最大关节峰值扭矩400N.m,算力支持400TOPs。负载40公斤时能以1m/s的速度行走。 乐聚“夸父”(KUAVO)机器人 “夸父”(KUAVO)是国内首款搭载鸿蒙操作系统的全尺寸人形机器人,也是国内首款实现产业化落地的全尺寸人形机器人,同样亮相展台。 夸父发布于2023年12月,重约45kg,全身26个自由度,行走速度最高可达4.6km/h,可快速连续跳跃,跳跃高度超20cm,搭载自研一体化关节和深度摄像头,可实现全方位视觉感知。 目前,夸父机器人已实现人形机器人小样本下的泛化操作,典型的成交案例包括与山东大学、北京通用人工智能研究院相关的科研合作。 天链人形机器人T1 身高约
人形机器人,在上海爆发

半导体公司,谁最挣钱?

​在当今高度数字化和智能化的时代,半导体作为信息技术的基石,其重要性不言而喻。半导体产业涵盖了从原材料供应、设计、制造到封装测试等多个环节,构成了一个复杂而精密的价值链。 01 芯片设计,占半壁江山 根据Nuvama数据显示,在半导体整个价值链中,芯片设计占到了50%,晶圆制造占到了36%,封装和材料分别占9%和5%。 可以看到,芯片设计和晶圆制造是半导体产业链中最核心的环节。 芯片设计是半导体产业链的上游环节,是整个产业链中最具价值和创造性的部分。根据TechInsights发布的2023年全球Top25半导体公司榜单,第一至第二十五名依次为台积电1、英特尔2、三星3、英伟达4、高通5、博通6、SK海力士7、AMD 8、英飞凌9、意法半导体10、美光11、德州仪器12、苹果13、联发科14、恩智浦15、ADI 16、索尼17、瑞萨18、Microchip 19、安森美20、格罗方德21、联电22、铠侠23、中芯国际24、西部数据25。 其中英伟达、高通、博通、AMD等国际巨头都是芯片设计企业,他们不直接参与芯片生产。在全球化背景下,芯片产业在发展过程中,领先企业往往有巨大动力把产业中附加值较低的部分外包出去,从而培育出巨大的全球性生态体系,这种体系得以让每个芯片公司把精力集中到自己的专项上。 与此同时,榜单上的其他几家企业,也均在芯片设计领域同样有着举足轻重的地位。整体来看,全球芯片设计产业表现出少数巨头企业主导、美国领先的整体态势。 再看芯片制造。芯片制造通常指在产业链中主要承担前道晶圆制造的企业,这部分也是整个制造链条中最精密复杂、技术和资本最为密集的领域。 英特尔、德州仪器等芯片企业,既从事芯片研发设计,又通过自有工厂制造晶圆。这类企业被称为IDM(整合制造模式)公司。IDM模式是集成电路产业早期发展的主流模式。但随着产业分工的发展,以台积电为代表的晶圆代工厂(为
半导体公司,谁最挣钱?

中国半导体设备市场要力挽狂澜

​据CounterpointResearch统计,2024年第一季度,全球前5大半导体设备制造商的营收同比下降了9%,主要原因是客户对最先进制程工艺产线的投资减少或延迟了。不过,庆幸的是,由于全球市场对DRAM需求非常旺盛,再加上中国大陆市场对半导体设备的需求强劲,在很大程度上抵消了先进制程工艺产线投资低迷导致的营收下滑。 下面看一下CounterpointResearch给出的具体数据。 ASML和东京电子(TEL)的营收同比下降分别为21%、14%,与2023年相比,应用材料(AMAT)、泛林集团(Lam research)和KLA的营收出现了低个位数下降。与上一季度相比,ASML的营收下降了26%,KLA下降了5%,应用材料和泛林集团环比持平,东京电子增长了18%,这得益于DRAM和NAND的强劲需求。 2024 年第一季度,这5大半导体设备制造商来自中国大陆的营收同比增长了116%。 2024 年第一季度,这5大厂商的存储器制造设备收入同比增长了33%,来自晶圆代工厂的营收则同比下降了29%。 这5大厂商营收普遍下滑,一个很重要的原因就是以台积电和三星为代表的晶圆代工厂在5nm以下先进制程产线上的投资减少了,这些产线需要各种先进设备,缺少了这些大项,这几家半导体设备大厂营收就会有很大一部分损失。 以三星为例,为了追赶台积电,该公司一直在先进制程产线建设方面有较大投入,但近一年低迷的市场行情,以及该公司一直未能提振的先进制程良率,使其延缓了一些先进产线的建设进度。 以美国新厂为例,2022年5月,三星宣布在德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂,投资额为170亿美元,后来,随着进入设备采购阶段,投资额上涨到250亿美元,目前,三星又将投资额提高至440亿美元。 这样大规模的投资,遇到市场不景气,需要调整。据ETnews报道,近期,三星推迟了泰勒市新建晶圆厂的设备采购,要等到第三
中国半导体设备市场要力挽狂澜

掏空韩国半导体人才

​近些年,全球多个产业发达地区都缺乏半导体人才,相对而言,美国、中国和韩国的人才形势最为紧迫,但这三大地区的人才短缺原因和状况却有很大差异。 美国原本是半导体人才聚集地,但偏重于设计,由于近些年要大力发展芯片制造,因此,美国的半导体制造人才突然短缺起来。中国是另一种情况,半导体产业链上各方面的人才都缺,特别是制造类,短缺严重。 韩国是半导体制造强国,本来不缺乏相应人才,但在近些年,情况急转直下,由于全球其它地区疯狂发展芯片制造业,短期培养不出需要的人才数量,只能挖人,此时,韩国就成为了重灾区。目前,韩国的半导体人才短缺状况越来越严重。 01 三星和SK海力士是重灾区 不止芯片制造,近两年,AI服务器火遍全球,这种高性能计算系统对处理器和内存(DRAM)的要求很高,且与传统数据中心相比,AI系统要求处理器和内存之间要更加紧密的联系在一起,对将二者结合的设计、制造和封装技术和工艺提出了更高要求,在这方面,韩国存储器大厂有很大优势。基于此,它们的员工成为了AI芯片和系统大厂挖人的主要目标。 韩国朝鲜日报报道,根据领英(LinkedIn)截至今年6月18日为止的资料统计,英伟达有515名新进员工是从三星电子跳槽来的,反观三星只有278名新进员工来自英伟达,若将两家公司的员工总数考虑在内,更凸显出三星人才外流的窘境,三星半导体员工总数约7.4万人,英伟达员工总数约3万人,也就是说,三星半导体只有0.4%的员工来自英伟达,而英伟达有1.7%的员工来自三星。 不过,三星成功从英特尔挖走1138人,多于英特尔自三星挖的848人。近期,有195名台积电员工跳槽到三星,同期只有24名三星员工跳槽到台积电。 最近,SK海力士有38名员工跳槽到英伟达,但前者并未成功从英伟达挖到一个人。 虽然SK海力士的高带宽内存(HBM)制造技术领先三星,但在这场人才争夺战中处于劣势,除了被英伟达挖走人才之外,也
掏空韩国半导体人才

科八条与半导体

​2024陆家嘴论坛开幕式上,证监会主席吴清预告,将发布深化科创板改革的八条措施。此话一出,瞬间成为焦点。 同日下午,证监会发布《关于深化科创板改革 服务科技创新和新质生产力发展的八条措施》(以下简称“科八条”)。在专家看来,这也意味着科创板和注册制的改革进入到“深水区”。“科八条”发布助力科创公司发展,优化融资制度,支持并购重组,半导体“硬科技”板块公司或受益。 “科八条”主要包括: 一是强化科创板“硬科技”定位。严把入口关,优先支持新产业新业态新技术领域突破关键核心技术的“硬科技”企业在科创板上市。进一步完善科技型企业精准识别机制。支持优质未盈利科技型企业在科创板上市。 二是开展深化发行承销制度试点。优化新股发行定价机制,试点调整适用新股定价高价剔除比例。完善科创板新股配售安排,提高有长期持股意愿的网下投资者配售比例。加强询报价行为监管。 三是优化科创板上市公司股债融资制度。建立健全开展关键核心技术攻关的“硬科技”企业股债融资、并购重组“绿色通道”。探索建立“轻资产、高研发投入”认定标准。推动再融资储架发行试点案例率先在科创板落地。 四是更大力度支持并购重组。支持科创板上市公司开展产业链上下游的并购整合。提高并购重组估值包容性,支持科创板上市公司收购优质未盈利“硬科技”企业。丰富并购重组支付工具,开展股份对价分期支付研究。支持科创板上市公司聚焦做优做强主业开展吸收合并。 五是完善股权激励制度。提高股权激励精准性,与投资者更好实现利益绑定。完善科创板上市公司股权激励实施程序,优化适用短线交易、窗口期等规定,研究优化股权激励预留权益的安排。 六是完善交易机制,防范市场风险。加强交易监管,研究优化科创板做市商机制、盘后交易机制。丰富科创板指数、ETF品类及ETF期权产品。 七是加强科创板上市公司全链条监管。从严打击科创板欺诈发行、财务造假等市场乱象,更加有效保护中小投资者合法
科八条与半导体

内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出

​在高性能计算系统,特别是AI服务器中,内存(DRAM)的容量和带宽指标越来越重要,因为处理器需要处理巨量数据,传统DRAM已经无法满足需求。目前,HBM是当红炸子鸡。 相对于传统DRAM,HBM的制造要复杂很多,它需要将多个DRAM裸片堆叠在一起,这就需要用到较为先进的封装技术了。 随着技术进步和市场需求的变化,HBM堆栈的密度也在增加,有机构统计,按照当下的势头发展下去,将从2022年的16GB增加到2027年的48GB,DRAM大厂美光更加乐观,预计2026年将出现64GB的HBMNext(HBM4),堆叠层数能达到16,这样,使用16个32Gb的DRAM裸片就可以构建64GB的HBM模块,这需要存储器制造商进一步缩小DRAM裸片的间距,需要用到新的生产技术,特别是更好的封装技术。 通常情况下,HBM堆栈使用硅通孔(TSV)垂直连接多个DRAM裸片,这种带有TSV的堆叠架构允许非常宽的内存接口(1024位)、高达36GB、64GB的内存容量,并可实现超过1TB/s的带宽。 生产HBM堆叠芯片比生产传统的DRAM要复杂得多。首先,用于HBM的DRAM裸片与典型DRAM(例如DDR4、DDR5)完全不同,内存生产商必须制造出足量的DRAM裸片,并对它们进行测试,然后将它们封装在预先测试好的高速逻辑芯片层之上,最后测试整个封装。这个过程既昂贵又耗时。 以最新量产的HBM3E为例,其芯片尺寸大约是同等容量DDR5的两倍,除了逻辑层和DRAM层,还需要一个接口层,如此复杂的封装堆栈,会影响良率。因此,随着HBM的发展,堆叠层数不断增多,封装复杂度也在增加,其制造难度越来越大,且良率难以提升。 01 3D DRAM接力 HBM并不是高性能计算系统用内存的最终形态,从各大存储器厂商的研发方向来看,在存算一体彻底解决“存储墙”问题、相关芯片技术成熟并实现量产之前,3D DRAM将是H
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出

联盟扩员,代工巨头“血拼”先进封装

​由三星电子于去年6月发起的MDI(多芯片集成)联盟,正涌入更多的合作者。目前,该联盟中包括多家存储、封装基板和测试厂商在内的合作伙伴已增至30家,较去年的20家有所增长,仅一年时间就增加了10家。 近年来,随着AI爆火,先进封装的崛起逐步成为业界共识。在算力需求与电路可容纳晶体管数量双双接近极限之时,堆叠和组合不同的芯片便被认为是一种更具效率的芯片制造理念。 此次合作伙伴数量的增加,也反映出三星电子在半导体封装技术方面的积极态度和坚定决心。通过与更多的合作伙伴建立紧密的合作关系,三星电子可以更好地整合资源,提升技术实力,加速产品研发和市场推广。同时,这也将有助于三星电子在半导体封装技术领域取得更大的突破和进展。 01 台积电、三星先后成立两大先进封装联盟 3DFabric联盟 在2022年的开放创新平台生态系统论坛上,台积电宣布开放式创新平台(OIP)3D Fabric联盟成立。 3DFabric联盟成员能够及早取得台积电的3DFabric技术,使得他们能够与台积电同步开发及优化解决方案,也让客户在产品开发方面处于领先地位,及早获得从EDA及IP到DCA / VCA、存储、委外封装测试(OSAT)、基板及测试的最高品质与既有的解决方案及服务。这一联盟是台积电第六个开放创新平台(OIP)联盟。 台积电的3DFabric技术包括前段3D芯片堆叠或TSMC-SoIC(系统整合芯片),以及包括CoWoS及InFO系列封装技术的后端技术,其能够实现更佳的效能、功耗、尺寸外观及功能,达成系统级整合。 除了已经量产的CoWoS及InFO之外,台积电于2022年开始生产系统整合芯片。台积电目前在竹南拥有全球首座全自动化3DFabric晶圆厂,其整合了先进测试、台积电的系统整合芯片及InFO操作,提供客户最佳的灵活性,利用更好的生产周期时间与品质管制来优化封装。 MDI联盟 无独有偶,
联盟扩员,代工巨头“血拼”先进封装

市值TOP10公司再揭晓,AI养肥了这些科技巨头

​十年,对于一个人来说,是成长与蜕变的见证;而对于一个企业来说,则是兴衰起伏、不断拼搏的历程。 回想起2013年,那是一个全球科技产业风起云涌的年份。在这一年,多家企业凭借卓越的成绩和前瞻性的战略眼光,成功跻身全球市值TOP10的行列。 然而,时光荏苒,市场风云变幻。时至今日,曾经辉煌的TOP10名单已发生了巨大变化。 到了2023年,AI技术已成为引领全球科技巨头发展的新引擎。在AI驱动下,全球市值TOP10公司,十之七八都在冲击新高。 01 十年变迁,全球市值TOP10公司演变 一起看看这十年间,全球市值TOP10企业的榜单经历了怎样的风云变幻? 2013年全球市值TOP10的企业分别为:苹果、埃克森美孚、微软、中国石油、工商银行、中国移动、谷歌、沃尔玛、伯克希尔、通用电气。其中科技公司有3家,分别为苹果、微软和谷歌。 2014年全球市值TOP10的企业分别为:苹果、埃克森美孚、谷歌、微软、伯克希尔、通用电气、强生、沃尔玛、雪佛龙、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司与2013年数量一样,还是只有苹果、谷歌和微软。 2015年全球市值TOP10的企业分别为:苹果、谷歌、微软、伯克希尔、埃克森美孚、亚马逊、Facebook、通用电气、强生、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司有5家,分别为苹果、谷歌、微软、亚马逊和Facebook。 2016年全球市值TOP10的企业分别为:苹果、谷歌、微软、伯克希尔、埃克森美孚、Facebook、强生、亚马逊、通用电气、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司与2015年数量一样,为5家,同为苹果、谷歌、微软、亚马逊和Facebook。 2017年全球市值TOP10的企业分别为:苹果、谷歌、微软、亚马逊、Facebook、腾讯、伯克希尔、阿里巴巴、强生、摩根大通。这一年市值TOP10的企业中科技类公司上榜数量跃迁到7家,
市值TOP10公司再揭晓,AI养肥了这些科技巨头

汽车PMIC应用,谁是强者?

​汽车PMIC芯片市场规模正在进入快速增长。 PMIC是Power management IC的缩写,即电源管理集成电路,其主要作用是为电子设备提供稳定、高效的电源管理功能。 在电子设备系统中,PMIC芯片担负起电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责,是所有电子设备的电能供应心脏。其性能优劣对于整机的能耗、性能和可靠性有着直接影响,如果PMIC一旦失效将直接影响电子设备的工作,甚至会对设备本身造成破坏。 因此,PMIC的作用丝毫不亚于MCU,它是应用最为广泛的芯片,几乎所有电子设备中,都会有PMIC的存在。 01 PMIC的汽车应用场景 从应用领域来看,在电动化和自动化的驱动下,车载领域已成为整个PMIC增长最快的领域,年复合增长率达到9%。 Yole预计电动汽车到2026年将占汽车市场的30%,电源管理芯片受电动汽车的推动进一步提速增长。此外Yole还预计,到2026年,所有乘用车和80%的小型商用车至少配备Level1 ADAS,这也大大增加了对多通道电源管理芯片的需求。 车规级PMIC正是国内PMIC厂商的机会。 创新型新电子设备正从根本上改变汽车和其他车辆的方方面面,包括驾驶体验。无线畅联、远程信息处理、电机控制以及安全功能等应用正在不断增长,它们都需要利用电源管理来实现高效可靠地运行。 混合动力汽车和纯电动汽车的日益普及进一步推动了功率半导体市场的发展。在混合动力和纯电动汽车中,有许多不同的电源电压,它们的输出电压、输出电流、效率水平和热额定值各不相同。 电源管理集成电路(PMIC)的汽车电源管理应用 图中显示的用于电动或混合动力汽车的许多应用需要不同程度的电压调节。这些应用中的大多数负载都利用 12 伏或 24 伏电源电压,但有些牵引电机应用需要更高的电压。所有这些应用都需要有效地降压、升压或降压,以便在整个车辆中都能获得很多不同的稳定电压。 因此,汽车电
汽车PMIC应用,谁是强者?

反击”大小姐”美光

​近日,韩国起诉美光,令人大跌眼镜。对于美国企业,韩国向来是合作、和平大于争斗的。 韩国专利管理公司Mimir IP对美国美光科技提起专利侵权诉讼,这是半导体行业发生的重大事件。这是韩国非专利实施实体(NPE)起诉美国半导体公司的第一起案件,该诉讼于 6 月 3 日提起,还针对使用美光产品的公司,包括特斯拉、戴尔、惠普和联想。该案已提交美国德克萨斯州东区地方法院和美国国际贸易委员会 (ITC)。 众所周知,SK海力士和美光是内存市场的竞争对手。韩国正式起诉美光,是否意味着半导体霸权之战正从技术竞争扩大到专利战。Mimir IP 起诉美光的现状及其对半导体行业的广泛影响仍有待观察。 01 指谁打谁的“大小姐” 美光最近一次引起轩然大波是在中国,然而在7年前美光和中国的“缘分”已经开始了。 美光战福建晋华 2016年5月,联电宣布接受晋华委托开发DRAM制程技术,联电强电仅负责技术开发,并未进入DRAM产业或投资晋华。该合作中,由晋华支付技术报酬金,开发出的DRAM技术成果将由双方共同拥有。 2016年7月,福建晋华第一座12吋晶圆厂举行动土仪式。 2017年2月,美光控告联电违反营业秘密法,称由美光跳槽到联电的员工窃取了美光的秘密资料。 2017年12月,美光在美国加州对联电及晋华提出民事诉讼,控告两者侵害美光的DRAM专利。美光称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权,包括DRAM的关键技术,并交付福建晋华。 2018年1月,福建晋华和联电向福州市中级人民法院递交诉状,起诉美光公司相关产品侵权,包括美光数款固态硬盘产品存在侵权行为,并要求美光赔偿1.96亿元人民币。 2018年10月29日,美国商务部以威胁美国国家安全为由将福建晋华加入到《出口管理条例》的实体名单中,美国公司禁止向其出售软件、技术和产品。次日,美国芯片设备厂商驻福建晋华人员全部撤出,所有设备装机、工艺调试全
反击”大小姐”美光

0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET

​尽管摩尔定律的增速已显著放缓,但工艺节点依然稳步向前,现已演进至2nm甚至1nm以下。而在最新的逻辑节点中,传统器件架构已不具优势,而互补场效应晶体管(CFET)则被看做“成大事者”,成为埃米时代(1埃米等于0.1纳米)的主流架构。那么CFET究竟有着怎样的魅力? 01 为什么需要CFET? CFET,作为一种创新的CMOS工艺,以其晶体管垂直堆叠的独特方式,突破了传统平面工艺、FinFET(鳍式场效应晶体管)以及GAAFET( 环绕式栅极技术晶体管)的平面局限。 至于为何CFET架构备受瞩目?让我们一窥FinFET与GAAFET在当前技术挑战下所遭遇的瓶颈,便不难理解CFET为何值得深入研究。 先看FinFET。 FinFET是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管,该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。 2011年,英特尔率先将FinFET技术商业化,并应用于22nm制程,显著提升性能与降低功耗。随后,台积电、三星等厂商跟进,FinFET技术大放异彩。之后为了提高晶体管性能并进一步减小面积,FinFET体系架构也进行了持续的改进。自16/14nm起,FinFET成为主流选择,推动半导体工艺发展至3nm节点。然而,实际上自进入5nm后,FinFET就开始面临鳍片稳定性、栅极宽度限制及静电问题等挑战。修修补补的FinFET终将力不从心,新的架构因此呼之欲出。 下面接棒的选手便是GAAFET。GAAFET即环绕栅极场效应晶体管,其架构本质就是把FinFET的Fin旋转90°,然后把多个Fin横向叠起来,这些Fin都穿过gate。 GAAFET有两种结构,一种是使用纳米线(Nanowire)作为电子晶体管鳍片的GAAFET;另一种则是以纳米片(Nanosheet)形式出现的具有较厚鳍片的多桥通道场效应管MBCFET。 据悉,三星在3nm制程节点就已经导入GAAFE
0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET

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