镓仁半导体获蓝驰创投领投数千万元天使轮融资,专注氧化镓领域
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图片 有望破解氧化镓材料的“卡脖子”难题。 本文为IPO早知道原创 作者|Stone Jin 有望破解氧化镓材料的“卡脖子”难题。 据IPO早知道消息,镓仁半导体日前完成数千万天使轮融资。本轮由蓝驰创投领投,禹泉资本跟投。本轮融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。 成立于2022年9月的镓仁半导体是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业,其开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术,突破了国际市场对氧化镓材料的垄断,可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。 镓仁半导体创始团队源自浙江大学硅材料国家重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心。目前,镓仁半导体已形成一支以中科院院士为首席顾问的研发和生产团队,将持续为我国电力电子等产业的发展提供材料保障。 随着2018年特斯拉采用碳化硅(SiC)、2020年小米在快充上使用氮化镓开始,宽禁带材料碳化硅、氮化镓获得市场认可迎来发展机遇,并逐渐从新能源车、消费电子等热门场景向更多拓展场景探索。在宽禁带半导体发展得如火如荼之际,氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料也开始受到关注。其中,氧化镓( Ga2O3 )是被国际普遍关注并认可已开启产业化的超宽禁带半导体材料。据日本富士经济预测,未来10年氧化镓及器件的年复合增长率将超过50%,在高功率、高电流、高压器件领域拥有巨大优势,同时在中压功率器件及射频器件方面将对目前SiC,GaN和Si IGBT产生有力竞争,其在节能、性能改善、体积缩小等方面拥有核心优势。 高质量、低成本的氧化镓单晶衬底是整个产业链的关键,目前全球只有一家公司可稳定供货。其采用的是导模法生产和制备氧化镓衬底。然而由于导模法需要大量的铱金属,氧化镓晶圆价格高居不下;同时导模法存在大的温度梯