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​据CounterpointResearch统计，2024年第一季度，全球前5大半导体设备制造商的营收同比下降了9%，主要原因是客户对最先进制程工艺产线的投资减少或延迟了。不过，庆幸的是，由于全球市场对DRAM需求非常旺盛，再加上中国大陆市场对半导体设备的需求强劲，在很大程度上抵消了先进制程工艺产线投资低迷导致的营收下滑。 下面看一下CounterpointResearch给出的具体数据。 ASML和东京电子（TEL）的营收同比下降分别为21%、14%，与2023年相比，应用材料（AMAT）、泛林集团（Lam research）和KLA的营收出现了低个位数下降。与上一季度相比，ASML的营收下降了26%，KLA下降了5%，应用材料和泛林集团环比持平，东京电子增长了18%，这得益于DRAM和NAND的强劲需求。 2024 年第一季度，这5大半导体设备制造商来自中国大陆的营收同比增长了116%。 2024 年第一季度，这5大厂商的存储器制造设备收入同比增长了33%，来自晶圆代工厂的营收则同比下降了29%。 这5大厂商营收普遍下滑，一个很重要的原因就是以台积电和三星为代表的晶圆代工厂在5nm以下先进制程产线上的投资减少了，这些产线需要各种先进设备，缺少了这些大项，这几家半导体设备大厂营收就会有很大一部分损失。 以三星为例，为了追赶台积电，该公司一直在先进制程产线建设方面有较大投入，但近一年低迷的市场行情，以及该公司一直未能提振的先进制程良率，使其延缓了一些先进产线的建设进度。 以美国新厂为例，2022年5月，三星宣布在德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂，投资额为170亿美元，后来，随着进入设备采购阶段，投资额上涨到250亿美元，目前，三星又将投资额提高至440亿美元。 这样大规模的投资，遇到市场不景气，需要调整。据ETnews报道，近期，三星推迟了泰勒市新建晶圆厂的设备采购，要等到第三

​近些年，全球多个产业发达地区都缺乏半导体人才，相对而言，美国、中国和韩国的人才形势最为紧迫，但这三大地区的人才短缺原因和状况却有很大差异。 美国原本是半导体人才聚集地，但偏重于设计，由于近些年要大力发展芯片制造，因此，美国的半导体制造人才突然短缺起来。中国是另一种情况，半导体产业链上各方面的人才都缺，特别是制造类，短缺严重。 韩国是半导体制造强国，本来不缺乏相应人才，但在近些年，情况急转直下，由于全球其它地区疯狂发展芯片制造业，短期培养不出需要的人才数量，只能挖人，此时，韩国就成为了重灾区。目前，韩国的半导体人才短缺状况越来越严重。 01 三星和SK海力士是重灾区 不止芯片制造，近两年，AI服务器火遍全球，这种高性能计算系统对处理器和内存（DRAM）的要求很高，且与传统数据中心相比，AI系统要求处理器和内存之间要更加紧密的联系在一起，对将二者结合的设计、制造和封装技术和工艺提出了更高要求，在这方面，韩国存储器大厂有很大优势。基于此，它们的员工成为了AI芯片和系统大厂挖人的主要目标。 韩国朝鲜日报报道，根据领英（LinkedIn）截至今年6月18日为止的资料统计，英伟达有515名新进员工是从三星电子跳槽来的，反观三星只有278名新进员工来自英伟达，若将两家公司的员工总数考虑在内，更凸显出三星人才外流的窘境，三星半导体员工总数约7.4万人，英伟达员工总数约3万人，也就是说，三星半导体只有0.4%的员工来自英伟达，而英伟达有1.7%的员工来自三星。 不过，三星成功从英特尔挖走1138人，多于英特尔自三星挖的848人。近期，有195名台积电员工跳槽到三星，同期只有24名三星员工跳槽到台积电。 最近，SK海力士有38名员工跳槽到英伟达，但前者并未成功从英伟达挖到一个人。 虽然SK海力士的高带宽内存（HBM）制造技术领先三星，但在这场人才争夺战中处于劣势，除了被英伟达挖走人才之外，也

​2024陆家嘴论坛开幕式上，证监会主席吴清预告，将发布深化科创板改革的八条措施。此话一出，瞬间成为焦点。 同日下午，证监会发布《关于深化科创板改革 服务科技创新和新质生产力发展的八条措施》(以下简称“科八条”)。在专家看来，这也意味着科创板和注册制的改革进入到“深水区”。“科八条”发布助力科创公司发展，优化融资制度，支持并购重组，半导体“硬科技”板块公司或受益。 “科八条”主要包括： 一是强化科创板“硬科技”定位。严把入口关，优先支持新产业新业态新技术领域突破关键核心技术的“硬科技”企业在科创板上市。进一步完善科技型企业精准识别机制。支持优质未盈利科技型企业在科创板上市。 二是开展深化发行承销制度试点。优化新股发行定价机制，试点调整适用新股定价高价剔除比例。完善科创板新股配售安排，提高有长期持股意愿的网下投资者配售比例。加强询报价行为监管。 三是优化科创板上市公司股债融资制度。建立健全开展关键核心技术攻关的“硬科技”企业股债融资、并购重组“绿色通道”。探索建立“轻资产、高研发投入”认定标准。推动再融资储架发行试点案例率先在科创板落地。 四是更大力度支持并购重组。支持科创板上市公司开展产业链上下游的并购整合。提高并购重组估值包容性，支持科创板上市公司收购优质未盈利“硬科技”企业。丰富并购重组支付工具，开展股份对价分期支付研究。支持科创板上市公司聚焦做优做强主业开展吸收合并。 五是完善股权激励制度。提高股权激励精准性，与投资者更好实现利益绑定。完善科创板上市公司股权激励实施程序，优化适用短线交易、窗口期等规定，研究优化股权激励预留权益的安排。 六是完善交易机制，防范市场风险。加强交易监管，研究优化科创板做市商机制、盘后交易机制。丰富科创板指数、ETF品类及ETF期权产品。 七是加强科创板上市公司全链条监管。从严打击科创板欺诈发行、财务造假等市场乱象，更加有效保护中小投资者合法

​在高性能计算系统，特别是AI服务器中，内存（DRAM）的容量和带宽指标越来越重要，因为处理器需要处理巨量数据，传统DRAM已经无法满足需求。目前，HBM是当红炸子鸡。 相对于传统DRAM，HBM的制造要复杂很多，它需要将多个DRAM裸片堆叠在一起，这就需要用到较为先进的封装技术了。 随着技术进步和市场需求的变化，HBM堆栈的密度也在增加，有机构统计，按照当下的势头发展下去，将从2022年的16GB增加到2027年的48GB，DRAM大厂美光更加乐观，预计2026年将出现64GB的HBMNext（HBM4），堆叠层数能达到16，这样，使用16个32Gb的DRAM裸片就可以构建64GB的HBM模块，这需要存储器制造商进一步缩小DRAM裸片的间距，需要用到新的生产技术，特别是更好的封装技术。 通常情况下，HBM堆栈使用硅通孔（TSV）垂直连接多个DRAM裸片，这种带有TSV的堆叠架构允许非常宽的内存接口（1024位）、高达36GB、64GB的内存容量，并可实现超过1TB/s的带宽。 生产HBM堆叠芯片比生产传统的DRAM要复杂得多。首先，用于HBM的DRAM裸片与典型DRAM（例如DDR4、DDR5）完全不同，内存生产商必须制造出足量的DRAM裸片，并对它们进行测试，然后将它们封装在预先测试好的高速逻辑芯片层之上，最后测试整个封装。这个过程既昂贵又耗时。 以最新量产的HBM3E为例，其芯片尺寸大约是同等容量DDR5的两倍，除了逻辑层和DRAM层，还需要一个接口层，如此复杂的封装堆栈，会影响良率。因此，随着HBM的发展，堆叠层数不断增多，封装复杂度也在增加，其制造难度越来越大，且良率难以提升。 01 3D DRAM接力 HBM并不是高性能计算系统用内存的最终形态，从各大存储器厂商的研发方向来看，在存算一体彻底解决“存储墙”问题、相关芯片技术成熟并实现量产之前，3D DRAM将是H

​由三星电子于去年6月发起的MDI（多芯片集成）联盟，正涌入更多的合作者。目前，该联盟中包括多家存储、封装基板和测试厂商在内的合作伙伴已增至30家，较去年的20家有所增长，仅一年时间就增加了10家。 近年来，随着AI爆火，先进封装的崛起逐步成为业界共识。在算力需求与电路可容纳晶体管数量双双接近极限之时，堆叠和组合不同的芯片便被认为是一种更具效率的芯片制造理念。 此次合作伙伴数量的增加，也反映出三星电子在半导体封装技术方面的积极态度和坚定决心。通过与更多的合作伙伴建立紧密的合作关系，三星电子可以更好地整合资源，提升技术实力，加速产品研发和市场推广。同时，这也将有助于三星电子在半导体封装技术领域取得更大的突破和进展。 01 台积电、三星先后成立两大先进封装联盟 3DFabric联盟 在2022年的开放创新平台生态系统论坛上，台积电宣布开放式创新平台（OIP）3D Fabric联盟成立。 3DFabric联盟成员能够及早取得台积电的3DFabric技术，使得他们能够与台积电同步开发及优化解决方案，也让客户在产品开发方面处于领先地位，及早获得从EDA及IP到DCA / VCA、存储、委外封装测试（OSAT）、基板及测试的最高品质与既有的解决方案及服务。这一联盟是台积电第六个开放创新平台（OIP）联盟。 台积电的3DFabric技术包括前段3D芯片堆叠或TSMC-SoIC（系统整合芯片），以及包括CoWoS及InFO系列封装技术的后端技术，其能够实现更佳的效能、功耗、尺寸外观及功能，达成系统级整合。 除了已经量产的CoWoS及InFO之外，台积电于2022年开始生产系统整合芯片。台积电目前在竹南拥有全球首座全自动化3DFabric晶圆厂，其整合了先进测试、台积电的系统整合芯片及InFO操作，提供客户最佳的灵活性，利用更好的生产周期时间与品质管制来优化封装。 MDI联盟 无独有偶，

​十年，对于一个人来说，是成长与蜕变的见证；而对于一个企业来说，则是兴衰起伏、不断拼搏的历程。 回想起2013年，那是一个全球科技产业风起云涌的年份。在这一年，多家企业凭借卓越的成绩和前瞻性的战略眼光，成功跻身全球市值TOP10的行列。 然而，时光荏苒，市场风云变幻。时至今日，曾经辉煌的TOP10名单已发生了巨大变化。 到了2023年，AI技术已成为引领全球科技巨头发展的新引擎。在AI驱动下，全球市值TOP10公司，十之七八都在冲击新高。 01 十年变迁，全球市值TOP10公司演变 一起看看这十年间，全球市值TOP10企业的榜单经历了怎样的风云变幻？ 2013年全球市值TOP10的企业分别为：苹果、埃克森美孚、微软、中国石油、工商银行、中国移动、谷歌、沃尔玛、伯克希尔、通用电气。其中科技公司有3家，分别为苹果、微软和谷歌。 2014年全球市值TOP10的企业分别为：苹果、埃克森美孚、谷歌、微软、伯克希尔、通用电气、强生、沃尔玛、雪佛龙、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司与2013年数量一样，还是只有苹果、谷歌和微软。 2015年全球市值TOP10的企业分别为：苹果、谷歌、微软、伯克希尔、埃克森美孚、亚马逊、Facebook、通用电气、强生、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司有5家，分别为苹果、谷歌、微软、亚马逊和Facebook。 2016年全球市值TOP10的企业分别为：苹果、谷歌、微软、伯克希尔、埃克森美孚、Facebook、强生、亚马逊、通用电气、富国银行。市值TOP10的企业中科技类公司与2015年数量一样，为5家，同为苹果、谷歌、微软、亚马逊和Facebook。 2017年全球市值TOP10的企业分别为：苹果、谷歌、微软、亚马逊、Facebook、腾讯、伯克希尔、阿里巴巴、强生、摩根大通。这一年市值TOP10的企业中科技类公司上榜数量跃迁到7家，

​汽车PMIC芯片市场规模正在进入快速增长。 PMIC是Power management IC的缩写，即电源管理集成电路，其主要作用是为电子设备提供稳定、高效的电源管理功能。 在电子设备系统中，PMIC芯片担负起电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责，是所有电子设备的电能供应心脏。其性能优劣对于整机的能耗、性能和可靠性有着直接影响，如果PMIC一旦失效将直接影响电子设备的工作，甚至会对设备本身造成破坏。 因此，PMIC的作用丝毫不亚于MCU，它是应用最为广泛的芯片，几乎所有电子设备中，都会有PMIC的存在。 01 PMIC的汽车应用场景 从应用领域来看，在电动化和自动化的驱动下，车载领域已成为整个PMIC增长最快的领域，年复合增长率达到9%。 Yole预计电动汽车到2026年将占汽车市场的30%，电源管理芯片受电动汽车的推动进一步提速增长。此外Yole还预计，到2026年，所有乘用车和80%的小型商用车至少配备Level1 ADAS，这也大大增加了对多通道电源管理芯片的需求。 车规级PMIC正是国内PMIC厂商的机会。 创新型新电子设备正从根本上改变汽车和其他车辆的方方面面，包括驾驶体验。无线畅联、远程信息处理、电机控制以及安全功能等应用正在不断增长，它们都需要利用电源管理来实现高效可靠地运行。 混合动力汽车和纯电动汽车的日益普及进一步推动了功率半导体市场的发展。在混合动力和纯电动汽车中，有许多不同的电源电压，它们的输出电压、输出电流、效率水平和热额定值各不相同。 电源管理集成电路（PMIC）的汽车电源管理应用 图中显示的用于电动或混合动力汽车的许多应用需要不同程度的电压调节。这些应用中的大多数负载都利用 12 伏或 24 伏电源电压，但有些牵引电机应用需要更高的电压。所有这些应用都需要有效地降压、升压或降压，以便在整个车辆中都能获得很多不同的稳定电压。 因此，汽车电

​近日，韩国起诉美光，令人大跌眼镜。对于美国企业，韩国向来是合作、和平大于争斗的。 韩国专利管理公司Mimir IP对美国美光科技提起专利侵权诉讼，这是半导体行业发生的重大事件。这是韩国非专利实施实体（NPE）起诉美国半导体公司的第一起案件，该诉讼于 6 月 3 日提起，还针对使用美光产品的公司，包括特斯拉、戴尔、惠普和联想。该案已提交美国德克萨斯州东区地方法院和美国国际贸易委员会 (ITC)。 众所周知，SK海力士和美光是内存市场的竞争对手。韩国正式起诉美光，是否意味着半导体霸权之战正从技术竞争扩大到专利战。Mimir IP 起诉美光的现状及其对半导体行业的广泛影响仍有待观察。 01 指谁打谁的“大小姐” 美光最近一次引起轩然大波是在中国，然而在7年前美光和中国的“缘分”已经开始了。 美光战福建晋华 2016年5月，联电宣布接受晋华委托开发DRAM制程技术，联电强电仅负责技术开发，并未进入DRAM产业或投资晋华。该合作中，由晋华支付技术报酬金，开发出的DRAM技术成果将由双方共同拥有。 2016年7月，福建晋华第一座12吋晶圆厂举行动土仪式。 2017年2月，美光控告联电违反营业秘密法，称由美光跳槽到联电的员工窃取了美光的秘密资料。 2017年12月，美光在美国加州对联电及晋华提出民事诉讼，控告两者侵害美光的DRAM专利。美光称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权，包括DRAM的关键技术，并交付福建晋华。 2018年1月，福建晋华和联电向福州市中级人民法院递交诉状，起诉美光公司相关产品侵权，包括美光数款固态硬盘产品存在侵权行为，并要求美光赔偿1.96亿元人民币。 2018年10月29日，美国商务部以威胁美国国家安全为由将福建晋华加入到《出口管理条例》的实体名单中，美国公司禁止向其出售软件、技术和产品。次日，美国芯片设备厂商驻福建晋华人员全部撤出，所有设备装机、工艺调试全

​尽管摩尔定律的增速已显著放缓，但工艺节点依然稳步向前，现已演进至2nm甚至1nm以下。而在最新的逻辑节点中，传统器件架构已不具优势，而互补场效应晶体管(CFET)则被看做“成大事者”，成为埃米时代（1埃米等于0.1纳米）的主流架构。那么CFET究竟有着怎样的魅力？ 01 为什么需要CFET？ CFET，作为一种创新的CMOS工艺，以其晶体管垂直堆叠的独特方式，突破了传统平面工艺、FinFET（鳍式场效应晶体管）以及GAAFET（ 环绕式栅极技术晶体管）的平面局限。 至于为何CFET架构备受瞩目？让我们一窥FinFET与GAAFET在当前技术挑战下所遭遇的瓶颈，便不难理解CFET为何值得深入研究。 先看FinFET。 FinFET是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管，该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。 2011年，英特尔率先将FinFET技术商业化，并应用于22nm制程，显著提升性能与降低功耗。随后，台积电、三星等厂商跟进，FinFET技术大放异彩。之后为了提高晶体管性能并进一步减小面积，FinFET体系架构也进行了持续的改进。自16/14nm起，FinFET成为主流选择，推动半导体工艺发展至3nm节点。然而，实际上自进入5nm后，FinFET就开始面临鳍片稳定性、栅极宽度限制及静电问题等挑战。修修补补的FinFET终将力不从心，新的架构因此呼之欲出。 下面接棒的选手便是GAAFET。GAAFET即环绕栅极场效应晶体管，其架构本质就是把FinFET的Fin旋转90°，然后把多个Fin横向叠起来，这些Fin都穿过gate。 GAAFET有两种结构，一种是使用纳米线（Nanowire）作为电子晶体管鳍片的GAAFET；另一种则是以纳米片（Nanosheet）形式出现的具有较厚鳍片的多桥通道场效应管MBCFET。 据悉，三星在3nm制程节点就已经导入GAAFE

​最近，英伟达的股价持续冲高，已经成为全球市值第一的企业。与此同时，黄仁勋出售股票已套现约3200万美元。AI浪潮中，英伟达被推向高峰。 虽然不像英伟达一般声名大噪，博通是AI之下闷声发大财的选手。在各大科技巨头构建数据中心的背景下，博通提供一系列用于计算和网络的组件，包括对数据中心至关重要的组件，这使它从这一AI浪潮中同样大赚。 博通的最新财报和年度预测超过预期，公司股价最近三个交易日暴涨17%，市值大涨1117亿美元（约合人民币8120亿元），最新市值突破8000亿美元大关，达到8391亿美元。 暴涨过后，博通是否有冲击万亿美元市值的可能？ 01 AI之下，博通疯狂 先来看看博通的财报。 前不久，博通发布了第二季度财报。二财季净营收为124.87亿美元，超过分析师预期的 120.57 亿，与去年同期的87.33亿美元相比增长43%。 在截至10月份的整个财年内，公司营收预计将达到510亿美元左右，略高于分析师此前预计的506亿美元，也高于博通早些时候预期的接近500亿美元。 博通是通信芯片行业的龙头，业务主要分为两大块：半导体解决方案和基础设施软件。在交换芯片、Wi-Fi芯片、FC SAN等多个赛道中占据翘楚地位，其中以太网交换芯片领域，博通以七成左右的全球市占率排第一。 半导体解决方案产品主要为有线与无线通信芯片，贡献了 58% 的营收，网络、无线、存储、宽带、工业和汽车分别占比 53%、22%、11%、10%、4%。 基础设施软件贡献了 42% 的收入，主要由并购的企业组成，如提供存储区域网络的 Brocade、互联网安全技术厂商 Symantec、资讯技术管理软件 CA Technologies 及云计算和硬件虚拟化的软件和服务商 Vmware。 从24财年二季报来看，博通的半导体解决方案营收 72 亿，同比增长 5.8%，基础设施软件营收 52.85 亿，同比