没这5000字硬核储备,很难跟上半导体行情
@锦缎:
本文系基于公开资料撰写,仅作为信息交流之用,不构成任何投资建议。有朋友问了我一个非常专业的问题:多曝工艺是什么?它是如何跨过光刻机的极限分辨率实现更小制程的工艺?好问题,毕竟半导体工艺的问题专业是真的专业,真不是普通人能理解的,网上很多理解都是错的。想要了解多曝工艺的问题,首先得了解这个知识点的前置知识。因此今天内容分三段:第一、光刻设备分辨率是怎么来的?第二、晶体管的特征尺寸以及等效工艺的命名方式?第三、多曝工艺是什么,一共有哪几种多曝工艺?本人水平有限,如有错误请各位大佬指正,本文尽可能通俗易懂,但是部分内容还是涉及非常专业的半导体知识,看不懂的评论区讨论,说不定有大佬亲自上阵解释。全文近5000字,总之看完不亏,最终赢麻。01光刻机的极限分辨率光刻机到今天我相信大家都知道它是干嘛的。说人话,光刻机的作用就是把掩膜板的图形,按比例精确投影到硅片上,完成集成电路工艺图形化转移的第一步。请注意,它只是投影,它没有刻的过程,刻的过程是另外一种设备完成的,那就是刻蚀机。因此光刻机本质上和单反相机是一样的,只是精细度非常之变态。之所以会走投影技术路线道理也很简单,因为它适合大规模量产。一片晶圆经过光刻工艺之后,就完成了千上万个芯片的曝光工作,效率非常高,远远超过其他技术路线。高效率意味着更低的成本,所以到现在为止别看其他技术路线叫的响,比如纳米压印,但是实际产线上根本就没啥大规模应用,主流依然是投影这个路线,甚至往后的很多年以内,投影技术路线的地位不可撼动。以ASML NXT 1980Di的官方数据,它的产能是每小时275片,前置条件是单片晶圆曝光96个区域,同时每平方厘米能给30焦耳的能量。目前没有一个其他的技术路线,包括电子束,纳米压印之类的能做到这样的量产规模。更别提其他技术路线,那些都只是实验室玩玩的,离FAB厂量产差十万八千里。懂一点的光学知识的人都知道,由于光的衍射效