三星2027 年2nm导入BSPDN技术,芯片尺寸缩 17%
三星电子(Samsung Electronics Co.)晶圆代工高层透露,最新 2 nm制程技术可将芯片尺寸缩小 17%。
《韩国经济日报》22日报导,三星晶圆代工制程设计套件(PDK)研发团队副总裁Lee Sungjae在《Siemens EDA Forum 2024》的主题演说中指出,三星采用的最新“背面电轨”(BSPDN,又称“晶背供电”)芯片制造技术,可让2nm芯片的尺寸比传统前端(front-end)配电网络(PDN)技术缩小17%。
Sungjae指出,三星预定2027年量产2nm芯片时采用BSPDN技术,该科技还可将效能、功率分别提升8%、15%。这是三星晶圆代工事业首度有高层向大众揭露BSPDN细节。
BSPDN被称为次世代晶圆代工技术,主要是将电轨置于硅晶圆背面,进而排除电与信号线的瓶颈,进而缩小芯片尺寸。
相较之下,英特尔(Intel Corp.)预计今年就会在相当于2nm的Intel 20A制程采用BSPDN技术,该公司将之称为“PowerVia”。台积电则计划于2026年底左右,对1.6nm以下制程导入BSPDN技术。
另一方面,Lee还公布次世代GAA制程的产品路线图及芯片效能。三星计划今年下半量产基于第二代“环绕式闸极”(gate-all-around,GAA)制程技术(SF3)的3nm芯片,接下来的2nm也会采用GAA制程。Lee指出,跟第一代GAA制程相比,SF3可分别将芯片效能、功率提升30%、50%,芯片尺寸缩小35%。
来源:韩国经济日报
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