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卡卡农王
2020-12-23

[强]

2020年存储技术总结与展望

最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM，NAND，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。Graphic DRAM和高带宽内存采用20 nm或10 nm级的DRAM技术节点。展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。嵌入式和新兴存储技术尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡，但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD，而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。

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R可能能够进一步缩小至12nm以下。由于图形化，漏电流和感测裕度的挑战，单元尺寸微缩的速度越来越慢。</span></p><p><span>Graphic DRAM和高带宽内存(例如GDDR6(X)和HBM2(E))采用20 nm或10 nm级的DRAM技术节点。</span></p><p><span>通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。</span></p><p><span>在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。</span></p><p><span>展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">NAND</strong></span></p><span></span><p><span>随着主要NAND制造商争相增加3D NAND堆叠层的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V-NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel / Micron 96L / 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。</span></p><p><span>除了存储密度之外，3D NAND还应用于高速SSD，例如三星Z-SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL-FLASH。</span></p><p><span>SK hynix已达到147层垂直存储单元堆叠，探讨了他们的解决方案以及美光的解决方案。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">嵌入式和新兴存储技术</strong></span></p><span></span><p><span>尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡（AIC），但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD，而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。</span></p><p><span>Everspin已经发布许多新型pMTJ MRAM产品（第三代，1GB /芯片基于 28nm工艺），Avalanche/Renesas（40纳米）和三星/<a href=\"https://laohu8.com/S/SNE\">索尼</a>（28FDS）。Dialog（先前为Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）产品也已上市。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">技术路线图</strong></span></p><p><span>本演示文稿中还包括Techinsights对当前和将来的DRAM，NAND和新兴/嵌入式存储器技术分析，趋势和路线图，这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。</span></p><p><span>以下是研讨会的演示文稿。</span></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/59209464c7f840d39f53c9cce92a4757\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/f3eed9379aa5444c8b9e1cbaf5e367bb\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/0e9032cb40ee4f3297c043da0d02e0e2\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6802da25ede54d518125cabc217d18b9\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/585c5ae18b3749d3ae74a8fb2299e6f2\"/></p><p><img 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nm级的DRAM技术节点。</span></p><p><span>通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。</span></p><p><span>在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。</span></p><p><span>展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">NAND</strong></span></p><span></span><p><span>随着主要NAND制造商争相增加3D NAND堆叠层的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V-NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel / Micron 96L / 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。</span></p><p><span>除了存储密度之外，3D NAND还应用于高速SSD，例如三星Z-SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL-FLASH。</span></p><p><span>SK hynix已达到147层垂直存储单元堆叠，探讨了他们的解决方案以及美光的解决方案。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">嵌入式和新兴存储技术</strong></span></p><span></span><p><span>尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡（AIC），但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD，而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。</span></p><p><span>Everspin已经发布许多新型pMTJ MRAM产品（第三代，1GB /芯片基于 28nm工艺），Avalanche/Renesas（40纳米）和三星/<a href=\"https://laohu8.com/S/SNE\">索尼</a>（28FDS）。Dialog（先前为Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）产品也已上市。</span></p><p mpa-is-content=\"t\"><span><strong mpa-from-tpl=\"t\" mpa-is-content=\"t\">技术路线图</strong></span></p><p><span>本演示文稿中还包括Techinsights对当前和将来的DRAM，NAND和新兴/嵌入式存储器技术分析，趋势和路线图，这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。</span></p><p><span>以下是研讨会的演示文稿。</span></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/59209464c7f840d39f53c9cce92a4757\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/f3eed9379aa5444c8b9e1cbaf5e367bb\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/0e9032cb40ee4f3297c043da0d02e0e2\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6802da25ede54d518125cabc217d18b9\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/585c5ae18b3749d3ae74a8fb2299e6f2\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/640a7ca91d924e21b59e162b83b716cb\"/></p><p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4bd5b34467784f4b8b440682e8e43b9a\"/></p><p><img 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nm级的DRAM技术节点。通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。NAND随着主要NAND制造商争相增加3D NAND堆叠层的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V-NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel / Micron 96L / 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。除了存储密度之外，3D NAND还应用于高速SSD，例如三星Z-SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL-FLASH。SK hynix已达到147层垂直存储单元堆叠，探讨了他们的解决方案以及美光的解决方案。嵌入式和新兴存储技术尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡（AIC），但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD，而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。Everspin已经发布许多新型pMTJ MRAM产品（第三代，1GB /芯片基于 28nm工艺），Avalanche/Renesas（40纳米）和三星/索尼（28FDS）。Dialog（先前为Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）产品也已上市。技术路线图本演示文稿中还包括Techinsights对当前和将来的DRAM，NAND和新兴/嵌入式存储器技术分析，趋势和路线图，这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。以下是研讨会的演示文稿。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。今天是《半导体行业观察》为您分享的第2521内容，欢迎关注。推荐阅读★IDM：我太难了！★“逃离”英伟达★3D闪存，176层了！半导体行业观察『半导体第一垂直媒体』实时 专业 原创 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