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DylanNeo
2021-07-14

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EUV光刻机的全球战争

EUV光刻机已经成为芯片制造的支柱，台积电和三星等晶圆厂这几年不断追逐5nm和3nm等先进工艺，本身就是EUV光刻机采购大户，再加上现在这几大晶圆厂纷纷扩产建厂，无疑又加大了对EUV光刻机的需求。而

EUV光刻机的全球战争

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Technology是台积电为荷兰ASML极紫外（EUV）光刻机生产组件的合作伙伴，该公司也将派工程师前往亚利桑那州，预计该工厂的营收将从明年第三季度开始，这家工厂应该也要采购EUV光刻机。根据台积电上个月在其技术研讨会上分享的详细信息，该晶圆厂在全球拥有所有这些机器的一半，并负责去年所有基于EUV的芯片的 65%的出货量。</p>\n<p>今年5月，据韩国媒体报道，<a href=\"https://laohu8.com/S/SSNLF\">三星电子</a>已决定在德克萨斯州奥斯汀建设EUV半导体晶圆厂，这将是该公司首次在韩国以外的国家拥有EUV生产线。该公司做出这一决定是为了满足对更小的芯片日益增长的需求以及拜登总统重组该国半导体供应链的计划。公司计划今年第三季度破土动工，2024年开始运营，据悉该厂将采用5nm工艺。该工艺是<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSD.UK\">三星电子</a>迄今为止商业化的最先进工艺。</p>\n<p>此外，三星电子李在镕去年10月访问了ASML，显然是为了获得EUV光刻机。而就在今年5月，ASML与韩国中央和地方政府签署了一份协议，将投资2400亿韩元（2.11亿美元），到 2025 年在京畿道华城建立EUV产业集群。</p>\n<p>随着英特尔开始全面拥抱EUV光刻机，EUV光刻机的抢夺将更加白热化。<b>虽然ASML 正在扩大生产，但到目前为止，他们只出货了100多台EUV机器，这是另一个潜在的瓶颈。</b></p>\n<p>存储厂商也来到EUV光刻机时代</p>\n<p>过往，逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位，也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。</p>\n<p>此前一直表示不会采用EUV光刻的美光，也扛不住来到了EUV光刻时代，近日据韩媒报道，美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外（EUV）光刻，在1γ（Gamma）节点的有限的层数中部署EUV，然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ（Delta）节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。</p>\n<p>美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示：“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说，当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时，我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元，其中就包含这些EUV的预付款。</p>\n<p>2021年2月1日，SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂，它于2年前开始建造，位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16，是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品，即1a-nm DRAM。</p>\n<p>除此之外，SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元（43亿美元）的5年合同，以采购极紫外光刻系统，按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元，本次合同金额为采购20台以上的规模（支付金额包括安装费用等）。</p>\n<p>去年年初，三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份，三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了DRAM的核心尺寸。</p>\n<p><b>DRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难，但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm，</b>比D1y缩小了8.2%。据了解，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1e8bf932b5a6b420454d1ce2811dc991\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星 DRAM 单元尺寸趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/3800c06aab38dedd6e033e3eeed05cd8\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星DRAM单元D/R趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）</p>\n<p>至此，存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机，EUV光刻机需求不断增加，而ASML的产能有限，预计各家公司将竞相采购设备。</p>\n<p>“千呼万唤”的下一代EUV光刻机</p>\n<p>多年来，芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化，芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。<b>但是在5nm处，当前的光刻技术已经失去动力。</b>所以EUV光刻机就被推上历史舞台，这将NA（breaking index）从大约1.0提高到大约1.35纳米。</p>\n<p>ASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代，EUV光源波长在13.5nm左右，物镜的NA数值孔径是0.33，发展了一系列型号。但是，现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低，解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下，下一代光刻机也在被呼唤。</p>\n<p>在ASML的规划中，第二代EUV光刻机的型号将是NXE：5000系列，其物镜的NA将提升到0.55，进一步提高光刻精度，<b>半导体工艺想要突破1nm制程，就必须靠下一代光刻机。</b>不过这也将更加昂贵，其成本超过一架飞机，预计成本超过3亿美元。</p>\n<p>但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易，未来工艺节点向高数值孔径（“high NA”）光刻的过渡不仅需要来自系统供应商（例如 ASML）的巨大工程创新，<b>还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。</b>EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作，寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。（详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻，准备好了吗？》）</p>\n<p>High-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点，ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证，并计划在2023年交付给客户。ASML宣布，它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年（由其客户）进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。</p>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>EUV光刻机的全球战争</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 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正在扩大生产，但到目前为止，他们只出货了100多台EUV机器，这是另一个潜在的瓶颈。</b></p>\n<p>存储厂商也来到EUV光刻机时代</p>\n<p>过往，逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位，也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。</p>\n<p>此前一直表示不会采用EUV光刻的美光，也扛不住来到了EUV光刻时代，近日据韩媒报道，美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外（EUV）光刻，在1γ（Gamma）节点的有限的层数中部署EUV，然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ（Delta）节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。</p>\n<p>美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示：“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说，当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时，我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元，其中就包含这些EUV的预付款。</p>\n<p>2021年2月1日，SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂，它于2年前开始建造，位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16，是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品，即1a-nm DRAM。</p>\n<p>除此之外，SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元（43亿美元）的5年合同，以采购极紫外光刻系统，按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元，本次合同金额为采购20台以上的规模（支付金额包括安装费用等）。</p>\n<p>去年年初，三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份，三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了DRAM的核心尺寸。</p>\n<p><b>DRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难，但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm，</b>比D1y缩小了8.2%。据了解，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1e8bf932b5a6b420454d1ce2811dc991\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星 DRAM 单元尺寸趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/3800c06aab38dedd6e033e3eeed05cd8\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星DRAM单元D/R趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）</p>\n<p>至此，存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机，EUV光刻机需求不断增加，而ASML的产能有限，预计各家公司将竞相采购设备。</p>\n<p>“千呼万唤”的下一代EUV光刻机</p>\n<p>多年来，芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化，芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。<b>但是在5nm处，当前的光刻技术已经失去动力。</b>所以EUV光刻机就被推上历史舞台，这将NA（breaking index）从大约1.0提高到大约1.35纳米。</p>\n<p>ASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代，EUV光源波长在13.5nm左右，物镜的NA数值孔径是0.33，发展了一系列型号。但是，现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低，解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下，下一代光刻机也在被呼唤。</p>\n<p>在ASML的规划中，第二代EUV光刻机的型号将是NXE：5000系列，其物镜的NA将提升到0.55，进一步提高光刻精度，<b>半导体工艺想要突破1nm制程，就必须靠下一代光刻机。</b>不过这也将更加昂贵，其成本超过一架飞机，预计成本超过3亿美元。</p>\n<p>但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易，未来工艺节点向高数值孔径（“high NA”）光刻的过渡不仅需要来自系统供应商（例如 ASML）的巨大工程创新，<b>还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。</b>EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作，寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。（详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻，准备好了吗？》）</p>\n<p>High-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点，ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证，并计划在2023年交付给客户。ASML宣布，它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年（由其客户）进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。</p>\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/629dd49b5c31e5a1a9589d7d2bb1d3ee","relate_stocks":{"03145":"华夏亚洲高息股","09086":"华夏纳指-U","EWT":"台湾ETF-iShares 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Rapids）的处理器。\n英特尔将斥资200亿美元在亚利桑那州建立两个领先的制造工厂，这将是“EUV能力”，这意味着他们将能够生产7nm及以下的芯片。通过引入EUV光刻技术，同时将制造外包给台积电来争取时间，这似乎是试图重建公司内部开发和制造体系的尝试。\n而在日前参加摩根大通的会议时，CEO基辛格又表示，英特尔将全面拥抱EUV光刻工艺，大家能够看到英特尔对EUV工艺进行多代重大改进，也能看到晶体管级别的重大改进。这也是因为英特尔来到7nm之后，将有更多晶圆（芯片中的层）使用EUV进行曝光。而目前只有十几个最关键的层使用EUV进行曝光，这就是英特尔“全面拥抱EUV”的意思。\n台积电和三星两家一直在追逐先进工艺，在EUV光刻机上的布局要多于英特尔。而且台积电和三星均将在美国建厂，这些工厂也都需要EUV光刻机。\n据wccftech的报道，台积电的洁净室供应商江西汉唐系统集成有限公司在4月份发表的声明中，提供了有关台积电美国芯片厂设备进展的一些初步细节。该工厂将建在亚利桑那州，也是英特尔的所在地。汉唐董事长陈朝水概述了该工厂的合同将于7月完成，设备安装将于明年9月开始。\n\n台积电在上个月的技术研讨会上分享了其亚利桑那工厂的渲染图。图片：台积电\nFanuan System Technology是台积电为荷兰ASML极紫外（EUV）光刻机生产组件的合作伙伴，该公司也将派工程师前往亚利桑那州，预计该工厂的营收将从明年第三季度开始，这家工厂应该也要采购EUV光刻机。根据台积电上个月在其技术研讨会上分享的详细信息，该晶圆厂在全球拥有所有这些机器的一半，并负责去年所有基于EUV的芯片的 65%的出货量。\n今年5月，据韩国媒体报道，三星电子已决定在德克萨斯州奥斯汀建设EUV半导体晶圆厂，这将是该公司首次在韩国以外的国家拥有EUV生产线。该公司做出这一决定是为了满足对更小的芯片日益增长的需求以及拜登总统重组该国半导体供应链的计划。公司计划今年第三季度破土动工，2024年开始运营，据悉该厂将采用5nm工艺。该工艺是三星电子迄今为止商业化的最先进工艺。\n此外，三星电子李在镕去年10月访问了ASML，显然是为了获得EUV光刻机。而就在今年5月，ASML与韩国中央和地方政府签署了一份协议，将投资2400亿韩元（2.11亿美元），到 2025 年在京畿道华城建立EUV产业集群。\n随着英特尔开始全面拥抱EUV光刻机，EUV光刻机的抢夺将更加白热化。虽然ASML 正在扩大生产，但到目前为止，他们只出货了100多台EUV机器，这是另一个潜在的瓶颈。\n存储厂商也来到EUV光刻机时代\n过往，逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位，也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。\n此前一直表示不会采用EUV光刻的美光，也扛不住来到了EUV光刻时代，近日据韩媒报道，美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外（EUV）光刻，在1γ（Gamma）节点的有限的层数中部署EUV，然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ（Delta）节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。\n美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示：“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说，当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时，我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元，其中就包含这些EUV的预付款。\n2021年2月1日，SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂，它于2年前开始建造，位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16，是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品，即1a-nm DRAM。\n除此之外，SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元（43亿美元）的5年合同，以采购极紫外光刻系统，按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元，本次合同金额为采购20台以上的规模（支付金额包括安装费用等）。\n去年年初，三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份，三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了DRAM的核心尺寸。\nDRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难，但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm，比D1y缩小了8.2%。据了解，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。\n\n三星 DRAM 单元尺寸趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）\n\n三星DRAM单元D/R趋势，D3x到 D1z（图源：TechInsights）\n至此，存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机，EUV光刻机需求不断增加，而ASML的产能有限，预计各家公司将竞相采购设备。\n“千呼万唤”的下一代EUV光刻机\n多年来，芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化，芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。但是在5nm处，当前的光刻技术已经失去动力。所以EUV光刻机就被推上历史舞台，这将NA（breaking index）从大约1.0提高到大约1.35纳米。\nASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代，EUV光源波长在13.5nm左右，物镜的NA数值孔径是0.33，发展了一系列型号。但是，现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低，解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下，下一代光刻机也在被呼唤。\n在ASML的规划中，第二代EUV光刻机的型号将是NXE：5000系列，其物镜的NA将提升到0.55，进一步提高光刻精度，半导体工艺想要突破1nm制程，就必须靠下一代光刻机。不过这也将更加昂贵，其成本超过一架飞机，预计成本超过3亿美元。\n但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易，未来工艺节点向高数值孔径（“high NA”）光刻的过渡不仅需要来自系统供应商（例如 ASML）的巨大工程创新，还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作，寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。（详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻，准备好了吗？》）\nHigh-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点，ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证，并计划在2023年交付给客户。ASML宣布，它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年（由其客户）进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":925,"commentLimit":10,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"symbols":[],"verified":2,"subType":0,"readableState":1,"langContent":"CN","currentLanguage":"CN","warmUpFlag":false,"orderFlag":false,"shareable":true,"causeOfNotShareable":"","featuresForAnalytics":[],"commentAndTweetFlag":false,"andRepostAutoSelectedFlag":false,"upFlag":false,"length":2,"xxTargetLangEnum":"ZH_CN"},"commentList":[],"hasMoreComment":false,"orderType":2}