《日本经济新闻》报道,日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示,中国芯片实力已达到落后台积电(TSM.US) 3年水平。
报道对比今年4月上市华为智能手机Pura 70 Pro应用处理器“麒麟9010”,以及2021年高端手机应用处理器“麒麟9000”的电路图,两者分别由中芯(00981.HK) 及台积电量产。中芯7纳米芯片面积为118.4平方毫米,台积电5纳米芯片则为107.8平方毫米,面积未有太大差异,处理性能基本相同。虽在良品率上有差距,但中芯实力已追赶到落后台积电3年,且显示设计该两款芯片的海思半导体,其设计能力有提高。
清水洋治认为,美国政府的管制仅略为减慢中国的技术创新,但推动中国半导体产业自主生产。(fc/k)(港股报价延迟最少十五分钟。沽空资料截至 2024-08-27 16:25。) (美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)