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戴尔剧透英伟达B200明年发布，能耗高达1000W，AI终极利好的是：能源？
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id=\"id_3897657806\">B200功耗较H100增加40%以上</h2><p>目前，英伟达尚未透露Blackwell架构的详细信息，如果从芯片制造的角度、参考散热的基本经验法则（每mm²芯片面积最高散热量为1W）来看：</p><p>英伟达的H100（基于定制4nm级工艺技术构建）的功耗约为700W（包含HBM内存功率在内），并且考虑到芯片裸片的面积大小为814mm²，因此每平方毫米的功耗实际是低于1W的。这就相当于，<strong>B200的功耗将较H100增加40%以上。</strong></p><p>有媒体机构分析指出，H200很可能会基于另一种性能增强的工艺技术构建，比如采用3nm级的工艺技术构建。</p><p>并且考虑到芯片消耗的功率以及所需的散热量，<strong>B100可能会成为该公司的第一个双芯片设计生产的GPU</strong>，从而使其具有更大的表面积来散热。据悉，AMD和<a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a>采用了具有多芯片设计的GPU架构，或将成为一种行业趋势。</p><p>除了能耗对芯片设计提出要求外，谈及AI和高性能计算（HPC）应用，还需要考虑到<strong>如何平衡这些FLOPS所需的高功率和同时释放的热能。</strong></p><p>FLOPS（floating-point operations per second）是指每秒浮点运算次数，一般用来衡量硬件的性能。</p><p>对于软件开发人员来说，重要的是如何高效地使用这些FLOPS；而对于硬件开发人员来说，重要的是如何冷却产生这些FLOPS的处理器。</p><p><strong>而这正是戴尔Blackwell处理器的优势所在。</strong></p><p>Clarke表示：</p><blockquote><p>“（英伟达下一代AI及HPC 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id=\"id_3897657806\">B200功耗较H100增加40%以上</h2><p>目前，英伟达尚未透露Blackwell架构的详细信息，如果从芯片制造的角度、参考散热的基本经验法则（每mm²芯片面积最高散热量为1W）来看：</p><p>英伟达的H100（基于定制4nm级工艺技术构建）的功耗约为700W（包含HBM内存功率在内），并且考虑到芯片裸片的面积大小为814mm²，因此每平方毫米的功耗实际是低于1W的。这就相当于，<strong>B200的功耗将较H100增加40%以上。</strong></p><p>有媒体机构分析指出，H200很可能会基于另一种性能增强的工艺技术构建，比如采用3nm级的工艺技术构建。</p><p>并且考虑到芯片消耗的功率以及所需的散热量，<strong>B100可能会成为该公司的第一个双芯片设计生产的GPU</strong>，从而使其具有更大的表面积来散热。据悉，AMD和<a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a>采用了具有多芯片设计的GPU架构，或将成为一种行业趋势。</p><p>除了能耗对芯片设计提出要求外，谈及AI和高性能计算（HPC）应用，还需要考虑到<strong>如何平衡这些FLOPS所需的高功率和同时释放的热能。</strong></p><p>FLOPS（floating-point operations per second）是指每秒浮点运算次数，一般用来衡量硬件的性能。</p><p>对于软件开发人员来说，重要的是如何高效地使用这些FLOPS；而对于硬件开发人员来说，重要的是如何冷却产生这些FLOPS的处理器。</p><p><strong>而这正是戴尔Blackwell处理器的优势所在。</strong></p><p>Clarke表示：</p><blockquote><p>“（英伟达下一代AI及HPC 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