2023年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。
据行业数据显示，2023年国内SiC衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6英寸SiC衬底的扩产动作仍在继续。
01
SiC产能，持续开出
不完全统计，中国大陆约有20余家SiC衬底企业，分别包括天岳先进、天科合达、东尼电子、烁科晶体、同光晶体、世纪金光、露笑科技等。
天岳先进上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。
天科合达徐州SiC芯片二期项目于去年8月开工，项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产SiC衬底16万片。2023年12月28日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024年2月27日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体SiC材料生产基地也在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达25万片。
烁科晶体SiC二期项目今年顺利通过竣工验收，二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸SiC衬底的产能，其中包括N型SiC单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 东尼电子的“年产12万片SiC半导体材料”项目于2023年上半年实施完毕。今年3月，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见，此次本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。
三安光电去年年底在投资者问答中表示，目前SiC产能在逐步释放，预计2023年末至2024年初，公司6英寸SiC产能规划扩产至1.8-2万片/月。
重投天科建设运营的第三代半导体材料产业园于今年年初正式揭牌，该产业园围绕生产衬底和外延等制造芯片的基础材料，重点布局了 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延生产线，预计 2024 年衬底和外延产能达 25 万片。
02
SiC价格，持续下探
随着全球6英寸SiC片产能释放，加之电动汽车需求暂缓，这给今年SiC价格带来下行压力。
据悉，2024年中期，6英寸SiC衬底价格已跌至500美元以下，接近中国制造商的生产成本线。然而，到第四季度，价格将进一步跌至450美元甚至400美元，给大部分制造商带来沉重财务压力。值得注意的是，国际供应商的报价在 2023 年底仍高达 850 美元。如今已经有一些一线供应商已经在寻求出售业务，以避免巨额亏损的持续扩大。
对于价格下降的原因，行业分析师将其归因于供应过剩和市场竞争加剧。一线中国供应商为抢占市场份额而发起的价格战愈演愈烈，小制造商也加入竞争，导致市场不稳定。尽管国内 SiC 衬底产能增长迅速，但不同供应商之间的良率差异较大，部分企业在订单履行方面面临着严峻挑战。供应商之间的激烈竞争使得价格不断走低，许多厂商被迫亏本销售。
这种竞争环境增强了全球买家的谈判地位，博世和英飞凌等主要国际IDM获得了越来越优惠的价格协议。
与此同时，SiC 衬底的主要应用领域 —— 电动汽车和光伏发电市场（SiC 器件最大的市场），由于长达 6 个月到 1 年的验证期，使得客户在选择供应商时尤为谨慎，担心验证期结束后供应商可能已破产。这一情况进一步拖累了供应链的流动性。
业内人士预计，原本应在2026年左右到来的SiC衬底行业整合潮，可能会因价格战的激化而提前至2025年中期。
在近日的业绩会上，有投资者向天岳先进提问：“4英寸、6英寸等传统SiC衬底产品价格是否有进一步下探的空间？”
天岳先进董事长、总经理宗艳民表示，SiC衬底价格会下降，这一方面是由于技术的提升和规模化效应推动衬底成本的下降；另一方面，目前SiC衬底价格比硅衬底高，而价格下降有助于下游应用的扩展，推动SiC更加广阔的渗透应用。
中国供应商的快速扩产和大幅降价也让国际竞争对手措手不及，全球行业形势正在悄然发生变化。
03
SiC巨头，也受到影响
行业巨头，面临挑战
近日，总部位于达勒姆的 Wolfspeed 公司有多则坏消息传出。
Wolfspeed曾是全球范围内首家8英寸(200mm)SiC晶圆制造厂，从2015年项目发布到2022年建成投产以及实现量产共历时7年。2023年，为了加速转型，Wolfspeed出售射频业务给MACOM，此后Wolfspeed专注于SiC业务。
然而随着SiC市场竞争持续加剧，Wolfspeed业绩持续亏损、深陷“财务危机”。根据Wolfspeed公布的2025财年第一财季财报显示，该财季营收同比下滑1.37%至1.95亿美元，净亏损虽同比收窄了28.68%，但仍亏损达2.82亿美元。
受业绩持续亏损影响，Wolfspeed日前还宣布启动了一项耗资4.5亿美元设施关闭和整合计划，即关闭其在美国北卡罗来纳州达勒姆的 150 毫米SiC工厂，同时减约20%的员工，目前该公司有5000名员工，也就是说需要裁撤1000个工作岗位。展望2025财年的第二季度，Wolfspeed预计其非GAAP净亏损额将在1.45亿至1.14亿美元之间。
11月18日，Wolfspeed发布公告称，其董事会已决定同意Gregg Lowe于本月辞去Wolfspeed总裁兼首席执行官和董事会成员的职务。虽然Gregg Lowe本人和Wolfspeed董事会均未说明其辞职的原因，但是外界猜测这与Wolfspeed近几个季度的业绩表现脱不了干系。
罗姆的SiC业务有重大调整
Wolfspeed遭受逆风的同时，另一家SiC大厂罗姆半导体的日子也不太好过。
11月7日，罗姆半导体公布了2024财年上半年（2024年4月至9月）业绩报告。该时间段内，罗姆半导体实现营收2320亿日元（约合人民币109.04亿），同比下滑3%。次日罗姆举行了财务业绩发布会，并透露了SiC业务进展及未来规划。
首先是投资金额削减，罗姆半导体原计划在2021年至2027年针对SiC业务投资5100亿日元（约合人民币239.7亿），现在将降至4700亿-4800亿日元（约合人民币220.9亿-225.6亿），具体来看，2024财年的投资额降至1500亿日元（约合人民币70.5亿），2025财年则降至1000亿日元（约合人民币47亿）以下。
其次是增长计划放缓，此前，罗姆半导体为其SiC业务设定了2025财年达到1100亿日元（约合人民币51.7亿）的销售额目标。然而，由于工业设备和电动汽车市场放缓，目标被推迟到2026-2027年。
最后是产能安排调整，罗姆半导体正在推动8英寸SiC的量产，其中筑后工厂计划于2025年开始大规模生产，宫崎第二工厂预计在2025年投产。另一方面，罗姆半导体原计划2025 财年将SiC功率半导体的产能提高至2021财年的 6.5 倍，但该目标将延迟一年后实现。
04
SiC，开启下半场！
当下，6 英寸SiC晶圆价格持续陷入内卷困境，大量厂商将目光投向尺寸更大的 SiC 衬底，试图以此探寻新的发展契机和突破方向。
目前，8英寸便是SiC战役的下半场。
根据Wolfspeed 报告显示，以 32mm²面积的裸片（芯片）为例，6 英寸可以切出448颗，8 英寸可以切出 845 颗，8 英寸SiC衬底上的裸片数量相比6 英寸增加近90%；由于边缘芯片的良率较低，6 英寸的边缘裸片数量占比会达到 14%，8 英寸的这一占比降低至7%，8英寸衬底利用率相比 6 英寸提升了 7%。根据SiC衬底厂商天科合达的测算，从6英寸提升到 8 英寸，单位成本预计能够降低 35%。
截至2023年，海外已经形成从 8 英寸衬底到晶圆制造的产业链布局，海外头部大厂在8 英寸SiC衬底技术上的发展和产品研发在近两年明显加快。除了已实现量产的 Wolfspeed，还有7 家SiC衬底、外延、器件厂预计在未来 1-2 年实现 8 英寸衬底的量产。其中，Wolfspeed 的8 英寸衬底及MOSFET已实现批量应用，并持续建设 JohnPalmour SiC衬底厂，推动衬底产能扩充、配合其8英寸晶圆厂的扩产需求；ST 意法半导体也向 8 英寸领域投资，其联合湖南三安半导体建设8英寸SiC晶圆厂，三安配套自建一座 8 英寸SiC衬底厂，保障合资工厂的材料供应稳定性。
根据 YOLE 报告预测，2024 年 8 英寸SiC衬底将大批量进入市场。业界预计从2026年至2027年开始，现在的 6 英寸SiC产品都将被 8 英寸产品替代。据集邦咨询数据显示，目前8英寸的产品市占率不到 2%，预计 2026 年市场份额将成长到 15%左右。
国内厂商的量产突破步伐也在加快。目前已超10 家企业8英寸SiC衬底进入了送样、小批量生产阶段，包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、天科合达、科友半导体、湖南三安半导体、超芯星、粤海金等。投资方面，烁科晶体、南砂晶圆、天岳先进、天科合达、科友半导体、三安光电等均有 8 英寸衬底相关扩产计划，旨在提前为后续中下游客户做好材料产能供应的准备。
近日，天岳先进表示正在稳步推进临港工厂二期8英寸SiC衬底扩产计划。其临港工厂的8英寸SiC总体产能规划约60万片，将分阶段实施。与此同时，天岳先进还于2024德国慕尼黑半导体展览会上首次推出了12英寸(300mm)SiC衬底产品,正式宣告超大尺寸SiC衬底时代的大幕拉开。
今年6月，士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币，分两期建设，两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片（6万片/月）的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元，预计在2025年三季度末实现初步通线，2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标；2026年-2028年持续进行产能爬坡，最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
湖南三安SiC项目一期在全线投产后，为顺应6英寸向8英寸转型大趋势，二期项目全部导入8英寸生产设备和工艺。今年中旬，湖南三安8英寸SiC产线取得了积极进展。7月，三安光电在投资者互动平台表示，湖南三安项目后续扩产将生产8英寸SiC产品，目前，8英寸SiC衬底已开始试产，8英寸SiC芯片预计于12月投产。
同日，据西永微电园官微消息，重庆三安半导体SiC衬底工厂已完成主设备进机仪式。据重庆三安基建负责人透露，该项目目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。
资料显示，重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。
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