高芬卡FD
07-03

$美光科技(MU)$ 相比三星和SK海力士,美光的Fab 空间最不足,所以扩产很积极:1)HBM由于TSV和后端工艺需要更大的Fab空间,但美光的DRAM Fab在全球广泛分布,存在灵活用地和扩张的困难……2)美光计划从1c(1γ ) nm工艺开始应用DRAM EUV,EUV需要更高的洁净室和更大面积…3)由于HBM产能扩大和技术迁移,美光晶圆输入产能在24Q4将达到305K/月,与减产前(22Q3)的最高值的360K/月相比,预计将减少15%

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