韩国经济新闻消息，行业人士透露，三星电子即将推出的HBM4芯片将采用最先进的4纳米代工工艺。这一技术突破有望提升内存性能和能效。据悉，HBM（High Bandwidth Memory）是一种高带宽、低功耗的内存解决方案，在数据中心、人工智能等领域具有广泛应用。
该消息表明三星电子在集成电路制造上取得了重要进展，并且意味着未来数码产品的性能可能会更加强大。此外，使用更小尺寸的代工工艺还可以降低生产成本并提高整体竞争力。
目前，三星电子正在积极开发新一代芯片技术，并计划于2022年开始量产4纳米制程。这项举措预计将为公司带来巨大商机，并助力其在全球市场上保持竞争优势。
另据ICD了解，先前一度被传为已经通过英伟达 HBM3E 认证的三星，后来三星自己出来否认，尚未取得产品准备批准通知，相关程序还在进行中。另外，英伟达执行长黄仁勋于 6 月份 COMPUTEX Taipei 2024 全球媒体记者会上也指出，三星的 HBM 芯片还未取得官方认证，还需更多工程要进行。不过，现在供应链传出三星即将通过认证的消息，而且正在准备相关的产能，预计最快将在第三季正式供货，三星方面也将在接下来的财报会议上公布相关消息。
事实上，先前有相关消息表示，三星 HBM 通过英伟达的认证应该是早晚的事情。原因在于当前人工智能市场的需求量大，SK 海力士的供货尚无法完全满足需求。而三星目前是存储器市场的龙头，供货量大，借由三星的加入供货将能够舒缓供货瓶颈。然而，预计是相关的工作尚未准备好，因此辉达会要三星先不要做相关的承认，才会有不寻常的三星主动否认通过认证这样利多消息的情况产生。
另外，为了进行 HBM 的生产，估计三星将会挪移 20%~30% 的产能。届时，因为产能的挪移而影响到既有产品产线的生产。其中，当前三星的 LPDDR5X 在市场上获得青睐，包括联发科将用在旗下即将推出的天玑 9400 旗舰平台上，加上其他新的 AI PC 或手机的需求，预计将有机会将进一步推升相关产品的价格走扬。在此情况影响下，在企业级 SSD 方面，接下来第 3 季涨幅将有 10~15%，而服务器 DDR5 在产能遭挪移后，也有机会涨价 10~15%。整体下半年 DDR5 的价格，则将有 15~25% 的涨价幅度。
来源：36氪、technews
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