SK海力士设定的目标是在2026年量产第七代高带宽存储器（HBM）。 HBM4E 是首款采用 10 纳米级第六代 (1c) DRAM 的产品。最初量产的目标是在 2027 年之后，但似乎是应 NVIDIA 等主要客户的要求提前的。随着SK海力士发展路线的改变，预计三星电子、美光等主要竞争对手将加速下一代HBM的开发和量产。
SK海力士PL金贵旭5月13日在首尔广津区华克山庄首尔大酒店举行的IMW 2024上表示，HBM一直在以两年为周期开发产品，但最近，由于技术进步，这个周期加快了大约一年。
NVIDIA 等主要客户的要求似乎影响了 HBM4E 量产计划的这一变化。 SK海力士相关人士解释称，HBM4E的最大特点是它采用了32GB DRAM芯片，此前1c DRAM被用作核心芯片，直到 HBM4，都使用 1b DRAM 作为核心芯片。业界预测SK海力士将在HBM4中使用1b DRAM，并比竞争对手更快地完成产品开发。
目前，HBM4E正处于开发的早期阶段，以确定产品概念。经确认，具体层数或粘合方法尚未确定。不过，当HBM堆叠超过20层时，估计会采用混合键合方法。
关于应用混合键合的时机，PL金贵旭表示，混合键合应用于量产工艺时存在良率问题，在HBM4中使用混合键合的可能性很低。
随着SK海力士推进其HBM量产路线图，三星电子等竞争对手的HBM开发步伐预计将加快。三星电子正在运营双下一代 HBM 开发组织，以提高 HBM 竞争力。 HBM3E将由负责现有HBM开发的DRAM设计团队负责，而计划于明年量产的HBM4将由最近新成立的HBM开发团队负责。
不过，根据开发路线图，SK海力士仍领先于量产。三星电子在 1 月份举行的 2023 年第四季度电话会议上宣布，计划明年开始 HBM4 样品，并于 2026 年实现量产。
同时，SK海力士正在通过向主要客户发送样品的方式对HBM3E 12层产品进行质量测试。 HBM3E 8层产品自去年3月底开始向客户供货。
译自thelec
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