Unisantis Electronics是由闪存技术的发明者Fujio Masuoka于2008年创立，拥有专利的环绕栅晶体管（surround gate transistor ：SGT）技术，这是一种3D晶体管设计，可为存储器和图像传感器半导体制造商提供显着的系统设计和性能优势，并且能微缩到非常小节点。据介绍，垂直SGT为最终的电路实现提供了几个关键特性：与平面和FinFET晶体管相比，提高了面密度；由于对晶体管通道的周围栅极进行了强大的静电控制，因此降低了泄漏功率，针对最终应用优化晶体管宽度和长度尺寸，无论是高性能还是极低的功耗

Unisantis已在设计技术协同优化（DTCO）和三维过程仿真方面进行了大量投资，以实现SGT技术的生产制造流程。正在进行的工艺开发和制造试验现场正在将SGT技术产品化，以用于先进的工业应用。