12英寸晶圆技术有多个优势。由于可代替旧代际技术中的铝而使用铜，因此电流密度允许值也较高，耐电迁移性也较优秀。此外，金属层的层数也较多，晶体管尺寸较小，因此，通过提高晶体管密度、布线密度，可以缩小芯片尺寸、提高性能。

此外，大部分180纳米工艺技术和大部分的130nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术都可以支持STI（Shallow Trench Isolation，浅槽隔离）等功能，因此与大部分在350纳米技术中使用的LOCOS（Local Oxidation of Silicon）绝缘相比，因此可以获得较高的密度、闩锁效应（Latch Up）保护机能等。因此，达到提高线路性能和稳定性的效果。

如今，130纳米 BCD工艺已经相当成熟，因此可作为各种工艺技术的选择项。如不同级别的高压晶体管、非挥发性存储半导体、MIM（金属一一绝缘膜一一金属）电容、稳压二极管（Zener）/肖特基二极管等。因此，不仅可以将复杂的模拟/RF功能与SoC解决方案融合，还可以提供其他优势