芯联集成获得发明专利授权：“敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件”，专利申请号为CN202210174525.1，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本申请涉及一种敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件。其中，敏感器件结构的制备方法，包括：于衬底上敏感材料层，且于敏感材料层上形成图形化掩膜层；在第一刻蚀气体下，基于图形化掩膜层对敏感材料层进行主刻蚀，以形成器件敏感层，第一刻蚀气体包括第一氟化物气体与侧壁保护气体，第一刻蚀气体中的侧壁保护气体不超过第一氟化物气体体积占比的5％；去除图形化掩膜层；于器件敏感层上形成钝化保护层。本申请能有效减少敏感器件结构中的聚合物残渣，进而提高敏感器件性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权73个，较去年同期增加了10.61%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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