日本国立材料研究所廖梅勇团队实现金刚石DUV探测器低电压高增益新突破！

市场资讯2024-12-17

一、研究背景在超宽带隙半导体领域，研究者们正致力于开发具有超高增益的深紫外（DUV）光电探测器，以期达到与光电倍增管（PMT）相媲美的性能。这些探测器对于200-280纳米波长范围内的日盲检测和通信至关重要，因为它们能够提供高灵敏度、高速度、高光谱选择性、高信噪比和高稳定性。然而，现有的基于超宽带隙半导体的探测器，如AlGaN和Ga2O3，面临着高工作电压、高晶格缺陷密度、相偏析问题以及对磁场...

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