众专家学者聚焦氮化镓射频电子器件与应用的新进展 | 精彩集锦

市场资讯2024-11-28

氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。分会现场论坛期间，由国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司，北京国联万众半导体科技有限公司，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），苏州思体尔软件科技有限公司...

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{"i18n":{"language":"zh_CN"},"isChannel":false,"data":{"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2486311893?lang=zh_CN&edition=full","thumbnail":"","is_english":false,"pubTime":"2024-11-28 21:22","share_image_url":"https://static.laohu8.com/b0d1b7e8843deea78cc308b15114de44","id":"2486311893","market":"sh","top_or_hot":-1,"title":"众专家学者聚焦氮化镓射频电子器件与应用的新进展 | 精彩集锦","media":"市场资讯","content":"<div>\n<p>氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。分会现场论坛期间，由国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司，北京国联万众半导体科技有限公司，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），苏州思体尔软件科技有限公司...</p>\n\n<a href=\"https://finance.sina.com.cn/roll/2024-11-28/doc-incxrsen9498426.shtml\">网页链接</a>\n\n</div>\n","source":"sina","html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>众专家学者聚焦氮化镓射频电子器件与应用的新进展 | 精彩集锦</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n众专家学者聚焦氮化镓射频电子器件与应用的新进展 | 精彩集锦\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2024-11-28 21:22 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=https://finance.sina.com.cn/roll/2024-11-28/doc-incxrsen9498426.shtml><strong>市场资讯</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。分会现场论坛期间，由国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司，北京国联万众半导体科技有限公司，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），苏州思体尔软件科技有限公司...</p>\n\n<a href=\"https://finance.sina.com.cn/roll/2024-11-28/doc-incxrsen9498426.shtml\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"CSA","symbol_name":"VictoryShares US Small Cap Volatility Wtd","start_time":0,"source_url":"https://finance.sina.com.cn/roll/2024-11-28/doc-incxrsen9498426.shtml","article_id":"2486311893","we_media_id":null,"thumbnails":[],"rights":null,"url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2486311893","pubTimestamp":1732800120,"columns":[],"sourceInfo":{"source_id":"sina","name":"sina"},"weMediaInfo":null,"summary":"氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。薛军帅西安电子科技大学教授《同质外延氮化镓射频电子器件研究进展》许明伟国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理、CTO《FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索》张新川苏州能讯高能半导体有限公司研发总监氮化镓非常适合于制造5G毫米波射频前端集成。","collect":0,"end_time":0,"defaultTopTitle":"sina.com.cn","property":[],"viewcount":null,"language":"zh","relate_stocks":{"CSA":"VictoryShares US Small Cap Volatility Wtd"},"translate_title":"Experts and scholars focus on new developments in gallium nitride RF electronic devices and applications. Highlights","themeId":null,"isJumpTheme":false,"ttsUrl":null,"symbols_score_info":{"CSA":1},"content_text":"氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。分会现场论坛期间，由国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司，北京国联万众半导体科技有限公司，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），苏州思体尔软件科技有限公司，北京北方华创微电子装备有限公司协办支持的“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告，共同探讨氮化镓射频电子器件与应用的进展与趋势。苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千，中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵共同主持了分会。嘉宾主持人张乃千苏州能讯高能半导体有限公司总裁张韵中国科学院半导体研究所副所长、研究员俞捷香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷做了“赋能未来数据中心和6G网络的下一代高端节能半导体芯粒”的主题报告，涉及高端生态半导体芯片的High5核心技术，下一代通信市场机遇（2025-2035），企业光和无线通信市场趋势，GaN充电器和高电源，技术发展路线图，数据中心互连中下一代光通信的高性能驱动器，6G网络和卫星通信无线产品，High5半预期产品等内容。孙跃小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃做了“移动终端射频功放应用问题探讨”的主题报告，涉及移动通信中关键发射机特性的演变，手机功率放大器模块的研制，手机功放在实际应用中的问题，以及基于WBG的移动通信PA的探讨等。报告指出，随着移动通信的快速发展，手机需要高输出功率、高阶信号调制和高频谱效率。这促使PA设计师开发先进的PA架构和集成封装模块。非线性行为、输出回退（OBO）效率、坚固性、稳定性和封装EMI屏蔽在PA器件设计中值得重视。宽禁带半导体在移动通信领域仍有很大的增长空间。左成杰中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人射频滤波器主导射频前端市场。中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰做了“面向6G和Wi-Fi 7 的高频和宽带射频滤波器”的主题报告，结合目前发展趋势，分享了相关研究进展与成果。涉及兰姆波谐振器、耦合SAW谐振器等。薛军帅西安电子科技大学教授《同质外延氮化镓射频电子器件研究进展》许明伟国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理、CTO《FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索》张新川苏州能讯高能半导体有限公司研发总监氮化镓非常适合于制造5G毫米波射频前端集成。苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶做了“先进射频氮化镓制造中心支持DC-40GHz MMIC代工”的主题报告，6英寸GaN HEMT、高级过程控制、先进的热解决方案、高功率高效率PA等内容。张连中国科学院半导体研究所副研究员《fT/fmax=10.4/7.1GHz 的蓝宝石上AlGaN/GaN异质结双极晶体管》熊鑫九峰山实验室九峰山实验室熊鑫做了“高性能、低成本、小型化集成无源器件技术”的主题报告，分享了集成无源器件IPD技术、九峰山实验室IPD_PDK技术，基于IPD_PDK设计的超宽带功分器等内容。报告显示，基于九峰山实验室工艺平台和自研的IPD工艺Flow，开发了IPD的背孔工艺、空气桥等关键工艺，实现IPD无源器件包括电阻、电容、圆形电感、方形电感等器件。3-20 GHz超宽带功分器采用威尔金森功分器架构，采用三级级联结构拓展带宽，电阻采用TFR电阻，JFS IPD_PDK通过功分器、巴伦等电路设计已完成原理图仿真、版图EM仿真、调谐优化等功能性验证，PDK功能完善且使用便捷，设计的无源电路性能突出，该功分器在超宽带范围内具有良好的回波损耗与插入损耗，以及隔离度，尺寸为1.2 mm*3 mm。刘涛江南大学集成电路学院博士江南大学集成电路学院副教授李杨做了“基于氮化镓肖特基二极管的微波无线能量收集”的主题报告，涉及整流损耗计算、氮化镓肖特基二极管、氮化镓微波整流器及其应用等内容。报告显示，研究提出了一种用于预测微波整流二极管效率的新型等效电流模型。基于所提模型的分析，并结合氮化镓二极管的工艺设计，已经设计和制造了多种高性能的氮化镓肖特基二极管。展示了基于氮化镓的微波整流器，适用于常见的ISM频段，包括900 MHz、2.4 GHz和5.8 GHz，并介绍了它们的应用，分别实现了最大整流效率92.3%、91%和80%。特别是，GaN-SBD首次应用于微瓦级整流，在0 dBm和-10 dBm时的效率与现有技术水平相比最高。这展示了氮化镓材料在微波无线输电领域巨大的潜力。张国祥中国科学院微电子研究所中国科学院微电子研究所张国祥做了“基于GaN SBD技术的具有快速恢复性能的大功率微波限幅器”的主题报告，分享了GaN SBD技术、GaN SBD MMIC特性等相关研究进展。报告显示，在不同频率下，快速恢复时间在100 W下小于39 ns。由于SBD的多数载流子导通机制，该限制器不仅具有设计方法简单、阈值设计自由度高的优点，而且具有无尖峰泄漏和易于集成的特点。(根据现场资料整理，仅供参考)附：IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者，共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多种形式的活动，在近30个专题活动、230余个主题报告，台上台下展开探讨，从不同的角度分享前沿技术进展，交流探讨，观点碰撞，探求技术与产业化融合创新与发展之道。IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿，论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家，以及参会人的投票，评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场，现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。（转自：第三代半导体产业）\n\n\n海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)","isDev":false,"isTTM":false,"tenantId":"TBCN","deviceId":"web-server-community-laohu8-v3","version":"4.36.0","shortVersion":"4.36.0","platform":"web","vendor":"web","appName":"laohu8","isIOS":false,"isAndroid":false,"isTiger":false,"isTHS":false,"isWeiXin":false,"isWeiXinMini":false,"isWeiBo":false,"isQQ":false,"isBaiduSwan":false,"isBaiduBox":false,"isDingTalk":false,"isToutiao":false,"isOnePlus":false,"isHuaWei":false,"isXiaomi":false,"isXiaomiWebView":false,"isOppo":false,"isVivo":false,"isSamsung":false,"isMobile":false},"href":"/m/news/2486311893","isCrawlerRequest":true}