在第三代半导体领域,氮化镓功率器件因在效率、频率、体积等综合方面优势显著,在快充等消费电子市场实现率先放量,并在国内外主流手机厂商布局的推动下,渗透率持续提升。近日,国星光电子公司风华芯电成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。▲扇出型D-mode氮化镓半桥模块尺寸仅为6×7×0.45mm该模块在封装形式上取得新突破,相对于传统键合线框架封装,模块体积减少超67%,电路板布板面积...
网页链接在第三代半导体领域,氮化镓功率器件因在效率、频率、体积等综合方面优势显著,在快充等消费电子市场实现率先放量,并在国内外主流手机厂商布局的推动下,渗透率持续提升。近日,国星光电子公司风华芯电成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。▲扇出型D-mode氮化镓半桥模块尺寸仅为6×7×0.45mm该模块在封装形式上取得新突破,相对于传统键合线框架封装,模块体积减少超67%,电路板布板面积...
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