镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶

市场资讯10-27

10月25日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）宣布在氧化镓晶体生长领域取得了新的技术突破。该公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，并采用垂直布里奇曼法（VB），成功生长出2英寸的氧化镓单晶，这是国内首次实现此项技术突破。VB法的优势分析VB法在氧化镓衬底制造领域展现出显著优势，正在被全球领先的氧化镓制造商广泛采用。VB法相比传统方法有以下四大优势：成本优势：VB法无需使用昂贵的铱...

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