存储芯片，这一品类最赚钱

半导体产业纵横09-07

在 AI 风靡的当下，数据规模呈爆炸式增长，而存储芯片作为数据的关键承载者，其价值不断攀升。众所周知，存储芯片涵盖诸多产品品类，每一类产品都在其特定的应用场景中发挥着至关重要的作用。那么，各产品路线的盈利情况究竟如何？这无疑是业界内外共同关注的焦点。在此之前，我们有必要对存储芯片的产品品类进行细致的细分。存储芯片细分种类存储芯片依据功能、读取数据方式以及数据存储原理，大致可区分为易失性存储芯片（...

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在没有电源的情况下也能长期保存数据，适用于存储程序代码和用户数据。代表性产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球视角来看，存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心，二者市场份额合计超过 90%。NOR Flash 在市场上的规模占比约为 3%，其他类型的存储产品仅占据了约 2% 的市场份额。主流存储技术的对决DRAMDRAM即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM 使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。按照产品分类，DRAM 主要分为 DDR、LPDDR、GDDR及新型存储HBM。DDR（Double Data Rate）即双倍速率同步动态随机存取内存，适用于计算机、服务器和其他高性能计算设备等领域，目前应用广泛的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。LPDDR（Low Power Double Data Rate）即低功耗双倍数据速率内存，适合移动设备和嵌入式系统等需要长时间使用的场景，比如手机、平板电脑，目前应用广泛的是 LPDDR4、LPDDR5。GDDR（Graphics Double Data Rate）是在 DDR 的基础上多了 G（Graphics）前缀，专为需要极高吞吐量的数据密集型应用程序设计的高性能存储器，主要应用在显卡领域。HBM（High Bandwidth Memory）也属于 DRAM 的一种。HBM 在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势，特别适用于高性能计算、图形处理和数据中心等领域，以满足对内存带宽和容量的高需求。相比传统的 GDDR 内存，HBM 内存具有更高的带宽和更低的能耗，能够提供更快的数据传输速度和更高的性能。从市场角度划分，DRAM 又可分为主流 DRAM 和利基型 DRAM。主流 DRAM 市场的玩家为三星、美光和海力士，而中国大陆的头部 DRAM 公司也在不断取得新进展。利基型 DRAM 市场的玩家相对更为分散，除了三星、美光之外，还包含中国大陆的兆易创新、北京君正等公司。两种FlashFlash 是常见的用于存储数据的半导体器件，又称闪存，主要分为两种：NOR Flash 和 NAND Flash。NAND FlashNAND Flash 存储器是一种非挥发性存储技术，相比传统存储解决方案，它提供更快的读写速度、更高的储存容量和更好的能源效率。NAND Flash 单元将数据存储在一个存储单元中，每个单元能够存储多个的信息。根据技术类型划分，不同类型的 NAND Flash，如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，根据其数据密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。SLC NAND Flash 是成本最高但也是最耐用的 NAND Flash 存储器类型，通常用于需要高性能和数据完整性的企业级应用，如工业自动化、医疗设备和航空系统。然而，SLC NAND 的存储密度较低，导致每 GB 的成本比其他类型的 NAND Flash 更高。MLC NAND Flash 每个存储单元存储多个的信息，通常是两个位元。这增加存储密度并降低了与 SLC NAND 相比的成本，适用于消费级 SSD、数码相机和便携式媒体播放器等产品。TLC NAND Flash 进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。QLC NAND Flash 是 NAND Flash 技术的最新进展，提供了最高的存储密度和成本效益。通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中。根据产品应用划分，NAND Flash 颗粒广泛应用于固态硬盘、嵌入式存储产品（eMMC）、存储卡（SD 卡）、U 盘中。固态硬盘（Solid State Disk 或 Solid State Drive，简称 SSD），又称固态驱动器，是一种使用闪存作为存储介质的电脑存储设备。其核心功能就是存储数据，具有读写速度快、抗震动、能耗低、体积小、噪音小等优点，但也存在价格高、容量限制、寿命短、数据丢失等缺点。根据不同的接口标准，固态硬盘可以分为 SATA、PCIe、U.2 等多种类型，其中 SATA 接口的固态硬盘占据市场份额最大。eMMC（嵌入式多媒体卡）是一种嵌入式存储解决方案，常见于手机、平板电脑等移动设备。它集成了 NAND Flash 和控制器，提供高速读写性能，简化了系统设计，降低了开发复杂性。U 盘（USB Flash disk），全称 USB 闪存驱动器。它是一种使用 USB 接口的无须物理驱动器的微型高容量移动存储产品，通过 USB 接口与电脑连接实现即插即用。全球 NAND Flash 厂商主要有三星电子、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光科技等，行业集中度较高，竞争格局较为稳定。NOR FlashNOR Flash 以其快速读取速度、随机访问能力、单字节编程和高可靠性等特征，在嵌入式系统、单片机和需要直接执行代码的应用场景中占据重要地位。然而，与主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 的缺点也比较明显，包括：容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高等。尽管如此，NOR Flash 依旧难以被市场淘汰，因为 NOR Flash 由于其地址线和数据线分开的特性，不必再把代码读到系统 RAM 中，应用程序可以直接在 NOR 上运行，且 NOR Flash 还具备更快的读取速度、更强的可靠性和更长的使用寿命。小容量 NOR Flash 主要应用领域包括电脑摄像头及电脑周边配件，如 USB 外接硬盘、Type-C 接口扩展器等；显示面板模组、WiFi 模块等领域也有应用。中大容量 NOR Flash 应用领域涵盖电脑主板、安防监控、仪表、电子标签、可穿戴设备、汽车电子等。NOR Flash 竞争格局相对集中，华邦、旺宏、兆易创新三家市场份额合计占比超 90%。不同产品的涨价策略DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势明显，HBM 最为迅猛根据 TrendForce 数据显示，2024 年 Q1 DRAM 产业主流产品合约价走扬，带动营收较前一季度成长 5.1%，达 183.5 亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。随后在 Q2，整体 DRAM 产业营收达 229 亿美元，季增 24.8%。细分来看，DDR 不同系列的产品在今年上半年均呈现出了明显的涨价趋势。DDR3 方面 ，因三星、SK 海力士、美光逐渐退出市场，转向 HBM、DDR5 等新兴领域，DDR3 供给减少。同时，AI、网通需求增加及 AI 技术推动终端产品 DDR3 容量升级，自 2023 年下半年起 DDR3 价格上涨，预计 2024 年上半年涨幅约 20%，华邦也计划在 2024 年第二季度跟进涨价，将 DDR3 价格调升 20%。DDR4 和 DDR5 为上半年涨价主力 。第一季度，DDR4 价格上涨，PC DRAM 中 DDR4 合约价季涨幅约 10%-15%；第二季度涨幅略降至 3%-8%，移动端涨幅较高，达 5%-10%。受 HBM3/3E 产能影响及 AI 服务器需求推动，为平衡供需，DDR5 产出增加，价格上涨，一季度 SK 海力士提价 15%-20%。PC 及 Server DRAM 中 DDR5 一季度涨幅均约 10%-15%，二季度持续上涨。近日，DRAM 大厂宣布 2024 年第三季度 DDR5 内存价格将再次调涨，预计涨幅超过 15%。再看 LPDDR 和 GDDR。 今年 5 月，供应链消息称，SK 海力士计划对其 LPDDR5、LPDDR4、NAND 以及 DDR5 等存储产品进行价格上调，预计涨幅将达到 15%-20%。同时，随着人工智能的火爆，HBM（高带宽存储器）需求激增，而三星、SK 海力士将部分 DRAM 产线转换为 HBM 产线，导致 DRAM 供给减少，这也在一定程度上影响了 LPDDR 等产品的价格。据悉，2024 年第一季度，用于显卡的显存（GDDR）涨价约 13%-18%，尤其是 2GB GDDR6 需求强劲。NAND Flash 产品中，SSD 连续四季度涨价根据 TrendForce 集邦咨询研究，2024 年第一季度 NAND Flash 量价齐扬，营收季增 28.1%，达 147.1 亿美元。另外，从 2023 年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，NAND Flash 合约价季涨幅上修至约 15%-20%。根据此前市场数据，第二季度 NAND Flash 合约价格将出现显著上涨，预计涨幅在 13% 至 18% 之间。在 NAND Flah 的下游产品中，SSD 涨价幅度明显。据悉由于 AI 需求推动存储器涨价，SSD 价格连续四个季度上涨。其中，企业级 SSD 在 2024 年第二季度涨价幅度较高。根据 TrendForce 集邦咨询的报告，受北美和中国云端服务行业需求上升，采购量增加的影响，企业级 SSD（Enterprise SSD）合约价按季度增长 20%-25%，涨幅远高于其他产品。消费级 SSD（Client SSD）约涨价 10%-15%。2024 年第一季度消费级 SSD 价格已出现大幅上扬，涨幅为 23%-28%，但第二季度由于处于终端销售淡季，买方备货策略保守，部分 PC OEM 厂商甚至下调了订单，导致其涨价幅度相对企业级 SSD 较小。eMMC/UFS 预计涨价 10% 左右。虽然东南亚、印度智能手机市场近期需求明显增长，尤其是中国品牌提前加大订单，已建立安全的库存水平，但整体需求和市场规模相对企业级 SSD 较小，因此涨价幅度较为温和。2024 年第一季度 eMMC/UFS 的涨幅为 25%-30%，略高于消费级 SSD 和企业级 SSD。Nor Flash 产品也在今年上半年开始试探性涨价，价格涨幅在 10~15% 之间。中容量 Nor Flash 产品价格涨幅较大，低容量产品虽然之前几乎未涨价，但最近也开始上涨。目前中等容量 Nor Flash 涨价最显著。预计未来一年 Nor Flash 产品价格涨幅超 30%。谁，是当前盈利能力最强的产品？DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 的盈利能力受多种因素影响。一般来说，DRAM 在服务器和 PC 等市场需求大，技术门槛较高，盈利能力较强。NAND Flash 随着存储需求增长也有不错表现，而 NOR Flash 市场相对较小。但具体情况因市场波动而异。今年上半年盈利能力最强的存储产品，无疑为 HBM。HBM 的走红得益于以下两点：第一，随着人工智能、大数据、云计算等领域的快速发展，对高性能存储的需求大幅增加。特别是 AI 服务器对芯片内存容量和传输带宽的更高要求，促使 HBM 成为 AI GPU 存储单元的理想方案和关键部件，HBM 的需求呈现井喷式增长。第二，HBM 的技术复杂，生产难度大，产能提升相对较慢，目前主要由三星、SK 海力士、美光等少数几家大厂垄断供应，市场供应相对有限。这种供需不平衡的状况使得 HBM 的价格居高不下，进一步提升了其盈利能力。在这一背景下，HBM 的价格水涨船高。据悉，由于 HBM 的销售单价是传统型 DRAM 的数倍，与 DDR5 的价差大约为五倍。同时，AI 芯片相关产品的迭代使得 HBM 的单机搭载容量扩大。因此，在 2023 至 2025 年间，HBM 在 DRAM 产能及产值中的占比大幅上升。在产能方面，2023 年和 2024 年 HBM 占 DRAM 总产能分别为 2% 和 5%，到 2025 年占比预计将超过 10%。在产值方面，从 2024 年起，HBM 在 DRAM 总产值中的占比预估可超过 20%，到 2025 年占比有机会超过三成。存储三巨头表示，今年的 HBM 供应能力已全部耗尽，明年的产能也已经大部分售罄。除了 HBM 之外，还有一类产品在今年的存储市场迅速走红，即 DDR5。以下是 DDR5 的几点优势分析：第一，性能与功耗优势。 DDR5 相较于 DDR4，在性能和功耗上有着显著提升。例如，DDR5 的带宽更高，能够支持更快的数据传输速度，满足现代计算机系统对内存性能的更高要求；同时，DDR5 在功耗管理方面也进行了优化，降低了功耗，提高了能源效率。这些优势使得 DDR5 在服务器、PC 等市场中具有很强的竞争力，可以获得更高的价格和利润。第二，市场需求增长与渗透率提升。 随着 PC 与服务器领域平台不断推陈出新，对内存的性能要求不断提高，DDR5 的市场需求持续增长。今年基本上被视为 “DDR5 的大规模采用年”，DDR5 在 PC 和服务器市场的渗透率不断提升。第三，产品升级与价格上涨趋势。 DDR5 制程不断进步，带来了性能的提升和成本的优化。同时，由于市场需求的增长和供应的相对紧张，DDR5 的价格也呈现出上涨趋势。从市场情况来看，DDR5 内存的价格在过去一段时间内有所上升，这有助于提升相关厂商的盈利能力。并且，随着 DDR5 技术的不断成熟和产能的逐步扩大，其成本有望进一步降低，而在市场需求持续旺盛的情况下，价格可能保持相对稳定或继续上涨，从而为厂商带来持续的盈利增长。国产存储公司，业绩飘红目前，国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要分为 DRAM（动态随机存取存储器）和 NAND Flash（闪存存储器）两大类产品。今年以来，在人工智能、高性能计算和数据中心等领域需求的推动下，存储芯片行业景气度持续攀升。上半年，A 股存储芯片赛道上市公司业绩整体实现高增长。根据 Wind 数据，板块内 25 家上市公司上半年实现归属于上市公司股东的净利润合计同比增长 146.26%。具体来看，半年报显示，全球内存接口芯片龙头澜起科技今年上半年实现营业收入 16.65 亿元，同比增长 79.49%；归属于上市公司股东的净利润 5.93 亿元，同比增长 624.63%。澜起科技深耕于内存接口芯片领域，主要产品包括从 DDR2-DDR5 全系列内存接口芯片。澜起科技表示，2024 年上半年，一方面，行业需求实现恢复性增长，DDR5（新一代动态随机存取存储器）下游渗透率提升且 DDR5 子代迭代持续推进，带动公司内存接口及模组配套芯片销售收入同比大幅增长；另一方面，公司部分 AI 高性能 “运力” 芯片新产品开始规模出货，为公司贡献新的业绩增长点。存储模组龙头江波龙上半年实现营业收入 90.39 亿元，同比增长 143.82%；归属于上市公司股东的净利润 5.94 亿元，同比增长 199.64%。江波龙的产品线涵盖了嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大系列。存储器龙头佰维存储在上半年的营业收入、归母净利润较上年同期以近 2 倍的速度增长。该公司实现营业收入 34.41 亿元，与上年同期相比增加 22.92 亿元，同比增长 199.64%。公司实现归母净利润为 2.83 亿元，同比增长 195.58%。佰维存储已拥有嵌入式存储（UFS、eMMC、LPDDR、eMCP、BGASSD 等）、固态硬盘（SATA/PCIe）、内存模组（SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM）、存储卡（SD 卡、CF 卡、CFast 卡、CFexpress 卡、NM 卡）等丰富产品梯队，产品线包含 NAND、DRAM 存储器的各个主要类别。佰维存储称，数据的持续增长将驱动存储产业规模不断提升，国产化率的提高将驱动国产存储产业链的迅速发展，AI 技术革命将大大提升对高端存储器的需求，以上三个要素为国内存储产业带来了巨大的发展机遇。闪存模组企业德明利上半年实现营业收入21.76亿元，同比增长268.50%；归属于上市公司股东的净利润3.88亿元，同比增长588.12%。德明利的存储产品包括移动存储、固态硬盘、嵌入式存储、内存条等兆易创新上半年业绩也实现回暖，上半年实现营业收入36.09亿元，同比增长21.69%；净利润为5.17亿元，同比增长53.88%。在存储器方面，兆易创新产品分为三个部分，分别是NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。随着人工智能、大数据、云计算等新兴技术的不断发展，存储芯片的需求将持续增长。在这个过程中，DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 等存储产品将继续发挥重要作用，而 HBM 和 DDR5 等高性能存储产品也将迎来更广阔的发展空间。同时，国产存储公司也将面临更多的机遇和挑战，需要不断加强技术创新和产品升级，提高自身的竞争力，以在全球存储市场中占据一席之地。","kind":null,"is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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