扬杰科技获得实用新型专利授权：“具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”，专利申请号为CN202322893090.9，授权日为2024年7月23日。

专利摘要：具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述源级处沟槽的深度大于PW区结深；本实用新型通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了120%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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