替代EUV光刻,新方案公布

半导体行业观察06-13

随着英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂 Rapidus尽管各家公司都各自准备将越来越多的晶体管塞进每平方毫米的硅片中,但它们有一个共同点,那就是它们所依赖的极紫外 (EUV) 光刻技术极其复杂、极其昂贵,而且操作成本极高。主要原因是,该系统的 13.5 纳米光的来源是使用地球上最强大的商用激光器喷射飞散的熔融锡滴的精确且昂贵的过程。但一种非常规替代方案正在酝酿之中。日本筑波高能...

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