SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米 DRAM内存量产

IT之家04-09

IT之家 4 月 9 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代,1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述,为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。三星近期在行业会议 Memcon ...

网页链接
免责声明:本文观点仅代表作者个人观点,不构成本平台的投资建议,本平台不对文章信息准确性、完整性和及时性做出任何保证,亦不对因使用或信赖文章信息引发的任何损失承担责任。

精彩评论

我们需要你的真知灼见来填补这片空白
发表看法