力积电将与日企合作，推进量产MRAM存储器

半导体产业纵横02-14

力积电宣布2024年上半年将与日本东北大学创办的半导体技术企业Power Spin合作，计划量产磁性随机存储器（MRAM）。力积电将采用Power Spin的技术IP，推进研究和产品试制，力争2029年开始量产。据了解，MRAM是一种兼具DRAM和Flash特点的存储介质， MRAM的一些具体特质是：非易失：铁磁体的磁性不会由于断电而消失，故MRAM具备非易失性。读写次数无限：铁磁体的磁性不仅断电...

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SOT-MRAM）阵列芯片。该产品具有创新的计算架构，适用于存内计算，功耗仅为STT-MRAM的百分之一，工作速度可达10ns，可应用于高性能计算、AI、车用芯片等。早在2002年，台积电就与中国台湾地区工研院签订了MRAM合作发展计划。2018年，台积电进行了eMRAM芯片的“风险生产”，2019年生产采用22nm制程的eReRAM芯片。在ISSCC 2020上，台积电又发布了基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT-MRAM。该技术基于台积电的22nm ULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS工艺，具有10ns的极高读取速度，读取功率为0.8mA/MHz/bit。对于32Mb数据，它具有100K个循环的写入耐久性，对于1Mb数据，具有1M个循环的耐久性。它支持在260°C下进行90s的IR回流焊，在150°C下10年的数据保存能力。它以1T1R架构实现单元面积仅为0.046平方微米，25°C下的32Mb阵列的漏电流仅为55mA。台积电研发STT-MRAM解决方案主要是用来克服嵌入式闪存技术的扩展限制。之后台积电又成功开发出22纳米和16/12纳米工艺的MRAM产品线，并获得了大量来自内存和车用市场的订单。除此之外，台积电还在积极探索SOT-MRAM和VC-MRAM，并与外部研究实验室、财团和学术合作伙伴合作。2022年6月，中国台湾工研院与台积电合作开发的低压电流SOT-MRAM，具有高写入效率和低写入电压的特点，其SOT-MRAM实现了0.4纳秒的写入速度和7万亿次读写的高耐久度，还可提供超过10年的数据存储寿命。","kind":null,"is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":null,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; 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