芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进

腾讯新闻2021-03-22

目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的...

免责声明：本文观点仅代表作者个人观点，不构成本平台的投资建议，本平台不对文章信息准确性、完整性和及时性做出任何保证，亦不对因使用或信赖文章信息引发的任何损失承担责任。

精彩评论

CJ_7980
2021-03-22
CJ_7980
完犊子？

发表看法

1

{"i18n":{"language":"zh_CN"},"isChannel":false,"data":{"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2121727173?lang=zh_CN&edition=full","thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/720e235096bda02063b992bc6bad73ae","is_english":false,"pubTime":"2021-03-22 20:36","share_image_url":"https://static.laohu8.com/9a95c1376e76363c1401fee7d3717173","id":"2121727173","market":"us","top_or_hot":-1,"title":"芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进","media":"腾讯新闻","content":"<div>\n<p>目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b\">网页链接</a>\n\n</div>\n","source":"tencent","html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2021-03-22 20:36 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b><strong>腾讯新闻</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"159813","symbol_name":"芯片","start_time":0,"source_url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b","article_id":"2121727173","we_media_id":null,"thumbnails":["https://static.tigerbbs.com/720e235096bda02063b992bc6bad73ae"],"rights":{"source":"tencent","url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b","rn_cache_url":null,"customStyle":"body{padding-top:10px;}#news_title{font-weight:bold;#titleStyle#;}#news_description span{font-size:12px;#descriptionStyle#;}.footer-note{#statement#}","selectors":".mod-LoadTzbdNews, body","filters":".relate-stock, .hot-list, .recom-box, .wx-sou","directOrigin":true},"url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2121727173","pubTimestamp":1616416609,"sourceInfo":{"source_id":"tencent","name":"腾讯"},"weMediaInfo":null,"summary":"据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。","collect":0,"end_time":0,"defaultTopTitle":"qq.com","property":[],"viewcount":null,"language":"zh","relate_stocks":{"159813":"芯片","03145":"华夏亚洲高息股","TSM":"台积电","EWT":"台湾ETF-iShares MSCI"},"translate_title":"The chip giant began to overtake, and the world's first 3nm chip was unveiled, and the technology was more advanced than Taiwan Semiconductor Manufacturing","themeId":null,"isJumpTheme":false,"ttsUrl":null,"symbols_score_info":{"159813":1,"TWmain":1,"TSM":1,"03145":0.6,"EWT":0.6},"content_text":"目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。这其中，FinFET技术已经在芯片上使用了将近10年时间，帮助芯片完成了从28nm工艺到5nm工艺的跨越。但要知道的是，5nm工艺已经是FinFET技术的所能适应的极限。事实上，最理想的情况是，在7nm技术时代就对FinFET技术进行过渡性升级。5nm技术本应搭配更加先进的工艺，去年A14、麒麟9000等芯片相继出现功耗翻车，很大一部分原因就是FinFET技术无法支撑5nm工艺，导致芯片漏电率大幅提升。台积电在3nm技术上继续使用FinFET技术其实是承担了相当大风险。产品和自身口碑，都很可能迎来翻车。相比之下，三星则是做出了一个更加明智的选择。以目前技术眼光来看，三星计划在3nm工艺上使用的MCBCFEF技术大概率就是FinFET技术的代替者。MBCFEF技术本质是GAAFET技术的一种，也就是下一代技术的一个分支选择。根据三星官方给出的数据显示，使用MBCFEF技术打造的3nm芯片相比上一代技术芯片，芯片晶体密度提升80%，性能和能效提升30%，功耗降低50%。作为对比，台积电方面公布的FinFEF技术3nm工艺，相比上一代技术芯片，晶体密度提升70%，能效提升11%，功耗只降低了27%。可以看出，同样是3nm工艺，MBCFEF技术表现完胜FinFEF技术。三星3nm工艺借助MBCFEF技术帮助，将可以有效控制芯片漏电以及功耗翻车问题。若是来年，台积电3nm芯片功耗短板变得更加明显。三星其实很有机会从台积电手中获得大客户订单。而按照惯例，芯片技术大都是两年一更新，也就是说三星将有两年的技术领先时间。即便台积电当前优势明显，但两年也足够让三星改变芯片代工市场格局。文/JING 审/QKF","kind":null,"is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":null,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1},"commentList":[{"id":359466641,"gmtCreate":1616420785983,"gmtModify":1616421743897,"author":{"id":"3518749170258179","authorId":"3518749170258179","name":"CJ_7980","avatar":"https://static.tigerbbs.com/141b2ee77ba03601326c216dbb98769c","vip":1,"crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0},"htmlText":"完犊子？","listText":"完犊子？","text":"完犊子？","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://laohu8.com/post/359466641","repostId":2121727173,"repostType":2,"repost":{"id":"2121727173","pubTimestamp":1616416609,"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2121727173?lang=&edition=full","pubTime":"2021-03-22 20:36","market":"us","language":"zh","title":"芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2121727173","media":"腾讯新闻","summary":"据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。","content":"<html><body><article><p>目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有<a href=\"https://laohu8.com/S/TSM\">台积电</a>和<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSN.UK\">三星</a>，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。</p><p>虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。</p><p>据悉<strong>，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。</strong>而且，在近日举办的国际固态电路会议上，<strong>三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，</strong>这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。</p><p><strong>三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术</strong>。这其中，FinFET技术已经在芯片上使用了将近10年时间，帮助芯片完成了从28nm工艺到5nm工艺的跨越。但要知道的是，5nm工艺已经是FinFET技术的所能适应的极限。事实上<strong>，最理想的情况是，在7nm技术时代就对FinFET技术进行过渡性升级。</strong></p><p>5nm技术本应搭配更加先进的工艺，<strong>去年A14、麒麟9000等芯片相继出现功耗翻车，很大一部分原因就是FinFET技术无法支撑5nm工艺，</strong>导致芯片漏电率大幅提升。台积电在3nm技术上继续使用FinFET技术其实是承担了相当大风险。产品和自身口碑，都很可能迎来翻车。相比之下，三星则是做出了一个更加明智的选择。</p><p>以目前技术眼光来看，<strong>三星计划在3nm工艺上使用的MCBCFEF技术大概率就是FinFET技术的代替者。MBCFEF技术本质是GAAFET技术的一种，也就是下一代技术的一个分支选择</strong>。根据三星官方给出的数据显示，<strong>使用MBCFEF技术打造的3nm芯片相比上一代技术芯片，芯片晶体密度提升80%，性能和能效提升30%，功耗降低50%。</strong></p><p>作为对比，<strong>台积电方面公布的FinFEF技术3nm工艺，相比上一代技术芯片，晶体密度提升70%，能效提升11%，功耗只降低了27%。</strong>可以看出，同样是3nm工艺，MBCFEF技术表现完胜FinFEF技术。</p><p>三星3nm工艺借助MBCFEF技术帮助，<strong>将可以有效控制芯片漏电以及功耗翻车问题</strong>。若是来年，台积电3nm芯片功耗短板变得更加明显。三星其实很有机会从台积电手中获得大客户订单。</p><p>而按照惯例，<strong>芯片技术大都是两年一更新，也就是说三星将有两年的技术领先时间</strong>。即便台积电当前优势明显，但两年也足够让三星改变芯片代工市场格局。</p><p>文/JING 审/QKF</p></article></body></html>","source":"tencent","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n芯片巨头开始超车，全球首款3nm芯片亮相，技术比台积电更先进\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2021-03-22 20:36 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b><strong>腾讯新闻</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b\">Web Link</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/720e235096bda02063b992bc6bad73ae","relate_stocks":{"159813":"芯片","TSM":"台积电","03145":"华夏亚洲高息股","EWT":"台湾ETF-iShares MSCI"},"source_url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN2021032220393278770b05&s=b","is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/9a95c1376e76363c1401fee7d3717173","article_id":"2121727173","content_text":"目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。这其中，FinFET技术已经在芯片上使用了将近10年时间，帮助芯片完成了从28nm工艺到5nm工艺的跨越。但要知道的是，5nm工艺已经是FinFET技术的所能适应的极限。事实上，最理想的情况是，在7nm技术时代就对FinFET技术进行过渡性升级。5nm技术本应搭配更加先进的工艺，去年A14、麒麟9000等芯片相继出现功耗翻车，很大一部分原因就是FinFET技术无法支撑5nm工艺，导致芯片漏电率大幅提升。台积电在3nm技术上继续使用FinFET技术其实是承担了相当大风险。产品和自身口碑，都很可能迎来翻车。相比之下，三星则是做出了一个更加明智的选择。以目前技术眼光来看，三星计划在3nm工艺上使用的MCBCFEF技术大概率就是FinFET技术的代替者。MBCFEF技术本质是GAAFET技术的一种，也就是下一代技术的一个分支选择。根据三星官方给出的数据显示，使用MBCFEF技术打造的3nm芯片相比上一代技术芯片，芯片晶体密度提升80%，性能和能效提升30%，功耗降低50%。作为对比，台积电方面公布的FinFEF技术3nm工艺，相比上一代技术芯片，晶体密度提升70%，能效提升11%，功耗只降低了27%。可以看出，同样是3nm工艺，MBCFEF技术表现完胜FinFEF技术。三星3nm工艺借助MBCFEF技术帮助，将可以有效控制芯片漏电以及功耗翻车问题。若是来年，台积电3nm芯片功耗短板变得更加明显。三星其实很有机会从台积电手中获得大客户订单。而按照惯例，芯片技术大都是两年一更新，也就是说三星将有两年的技术领先时间。即便台积电当前优势明显，但两年也足够让三星改变芯片代工市场格局。文/JING 审/QKF","news_type":1},"isVote":1,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"tweetType":1,"langContent":"CN"}],"isCommentEnd":false,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":1,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)","isDev":false,"isTTM":false,"deviceId":"web-server-community-laohu8-v3","version":"4.25.1","shortVersion":"4.25.1","platform":"web","vendor":"web","appName":"laohu8","isIOS":false,"isAndroid":false,"isTiger":false,"isTHS":false,"isWeiXin":false,"isWeiXinMini":false,"isWeiBo":false,"isQQ":false,"isBaiduSwan":false,"isBaiduBox":false,"isDingTalk":false,"isToutiao":false,"isOnePlus":false,"isHuaWei":false,"isXiaomi":false,"isXiaomiWebView":false,"isOppo":false,"isVivo":false,"isSamsung":false,"isMobile":false},"href":"/m/news/2121727173"}