Mosys, Inc.于1991年成立，并于2000年9月在特拉华州重新注册。Mosys, Inc.连同其附属公司设计、开发、推广和许可嵌入式存储器的知识产权，这种存储器运用于半导体行业和电子产品制造中。该公司已经开发出一种专利的半导体存储技术，称为1T-SRAM ，在同等性能成本水平上，其他的内存技术无法匹及该技术的高密度、低功耗和高速度。该公司将此技术授权给将内存嵌入复杂集成电路如系统级芯片的企业。 该公司还设计、开发、销售并许可高速并行的串行接口，用于半导体行业和电子产品制造商的知识产权。接口的知识产权包括物理层电路，使芯片能相互通信，或是在网络、存储、计算机和消费电子设备上离散存储设备。该公司支持串行I / O技术，如10G KR ， XAUI ， PCI Express和SATA ，以及并行接口，诸如DDR3。该公司的知识产权客户通常包括无晶圆厂半导体公司，集成器件制造商（ IDM）和晶圆厂。